技術(shù)參數(shù)/額定功率: | 38 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù): | 3 | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻: | 0.175 Ω | ? |
技術(shù)參數(shù)/極性: | P-Channel | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率: | 38 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/閾值電壓: | 4 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容: | 350 pF | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds): | 55 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids): | 11A | ? |
技術(shù)參數(shù)/上升時(shí)間: | 55 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/反向恢復(fù)時(shí)間: | 47 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/正向電壓(Max): | 1.6 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss): | 350pF @25V(Vds) | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max): | 38 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/下降時(shí)間: | 37 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max): | 150 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min): | -55 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作結(jié)溫: | -55℃ ~ 150℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max): | 38W (Tc) | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式: | Surface Mount | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù): | 3 | ? |
封裝參數(shù)/封裝: | TO-252-3 | ? |
外形尺寸/長(zhǎng)度: | 6.73 mm | ? |
外形尺寸/寬度: | 6.22 mm | ? |
外形尺寸/高度: | 2.39 mm | ? |
外形尺寸/封裝: | TO-252-3 | ? |
物理參數(shù)/材質(zhì): | Silicon | ? |
物理參數(shù)/工作溫度: | -55℃ ~ 150℃ (TJ) | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期: | Not Recommended for New Designs | ? |
其他/包裝方式: | Tube | ? |
其他/制造應(yīng)用: | 電源管理, Power Management | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn): | RoHS Compliant | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn): | Lead Free | ? |
型號(hào) | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡(jiǎn)介 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
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International Rectifier (國(guó)際整流器) | 完全替代 | TO-252-3 |
HEXFET? P 通道功率 MOSFET,Infineon HEXFET? 電源 MOSFET 具有各種堅(jiān)固的單 P 通道設(shè)備,用于為音頻、消費(fèi)電子產(chǎn)品、電動(dòng)機(jī)控制和照明及家用電器提供交流到直流和直流到直流電源。 ### MOSFET 晶體管,Infineon (IR) Infineon 全面的堅(jiān)固單和雙 N 通道和 P 通道設(shè)備組合提供快速切換速度,且可滿足各種電源需求。 應(yīng)用范圍從交流-直流和直流-直流電源到音頻和消費(fèi)電子產(chǎn)品,從電動(dòng)機(jī)控制到照明和家用電器。
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International Rectifier (國(guó)際整流器) | 類似代替 | TO-252-3 |
INFINEON IRFR9024NTRPBF 場(chǎng)效應(yīng)管, MOSFET, P溝道
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