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描述: HEXFET? N 通道功率 MOSFET 最大 50A,Infineon HEXFET? 電源 MOSFET 具有各種堅固的單 N 通道設(shè)備,用于為音頻、消費電子產(chǎn)品、電動機(jī)控制和照明及家用電器提供交流到直流和直流到直流電源。 ### MOSFET 晶體管,Infineon (IR) Infineon 全面的堅固單和雙 N 通道和 P 通道設(shè)備組合提供快速切換速度,且可滿足各種電源需求。 應(yīng)用范圍從交流-直流和直流-直流電源到音頻和消費電子產(chǎn)品,從電動機(jī)控制到照明和家用電器。
商品二維碼
封 裝: TO-263-3
貨 期:
包裝方式: Tape & Reel (TR)
標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù): 1
6.78  元 6.78元
10+:
¥ 8.1360
100+:
¥ 7.7292
500+:
¥ 7.4580
1000+:
¥ 7.4444
2000+:
¥ 7.3902
5000+:
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7500+:
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10000+:
¥ 7.2410
數(shù)量
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價格
8.1360
7.7292
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7.3902
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技術(shù)參數(shù)/額定電流:

44.0 A

?

技術(shù)參數(shù)/額定功率:

320 W

?

技術(shù)參數(shù)/通道數(shù):

1

?

技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻:

0.054 Ω

?

技術(shù)參數(shù)/極性:

N-Channel

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率:

320 W

?

技術(shù)參數(shù)/閾值電壓:

5 V

?

技術(shù)參數(shù)/輸入電容:

2900 pF

?

技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds):

200 V

?

技術(shù)參數(shù)/漏源擊穿電壓:

200 V

?

技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids):

38A

?

技術(shù)參數(shù)/上升時間:

95 ns

?

技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss):

2900pF @25V(Vds)

?

技術(shù)參數(shù)/下降時間:

47 ns

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max):

175 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min):

-55 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max):

3.8W (Ta), 300W (Tc)

?

封裝參數(shù)/安裝方式:

Surface Mount

?

封裝參數(shù)/引腳數(shù):

3

?

封裝參數(shù)/封裝:

TO-263-3

?

外形尺寸/長度:

10.67 mm

?

外形尺寸/寬度:

9.65 mm

?

外形尺寸/高度:

4.83 mm

?

外形尺寸/封裝:

TO-263-3

?

物理參數(shù)/工作溫度:

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

?

其他/產(chǎn)品生命周期:

Active

?

其他/包裝方式:

Tape & Reel (TR)

?

其他/制造應(yīng)用:

Power Management, Consumer Electronics

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn):

RoHS Compliant

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn):

Lead Free

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/REACH SVHC版本:

2015/12/17

?

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型號 品牌 相似度 封裝 簡介 數(shù)據(jù)手冊
IRFS38N20D IRFS38N20D Infineon (英飛凌) 功能相似 TO-263
D2PAK N-CH 200V 38A

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