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描述: 單 P溝道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面貼裝 - MICRO-3
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封 裝: TO-263-3
貨 期:
包裝方式: Tape & Reel (TR)
標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù): 1
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10+:
¥ 8.6640
100+:
¥ 8.2308
500+:
¥ 7.9420
1000+:
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2000+:
¥ 7.8698
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技術(shù)參數(shù)/極性:

N-CH

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率:

3.8 W

?

技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds):

100 V

?

技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids):

59A

?

技術(shù)參數(shù)/上升時間:

90 ns

?

技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss):

2450pF @25V(Vds)

?

技術(shù)參數(shù)/下降時間:

12 ns

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min):

-55 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max):

3.8W (Ta), 200W (Tc)

?

封裝參數(shù)/安裝方式:

Surface Mount

?

封裝參數(shù)/封裝:

TO-263-3

?

外形尺寸/長度:

6.5 mm

?

外形尺寸/寬度:

6.22 mm

?

外形尺寸/高度:

2.3 mm

?

外形尺寸/封裝:

TO-263-3

?

物理參數(shù)/工作溫度:

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

?

其他/產(chǎn)品生命周期:

Active

?

其他/包裝方式:

Tape & Reel (TR)

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn):

RoHS Compliant

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn):

Lead Free

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型號 品牌 相似度 封裝 簡介 數(shù)據(jù)手冊
IRFS59N10DPBF IRFS59N10DPBF Infineon (英飛凌) 類似代替 TO-263-3
INFINEON IRFS59N10DPBF 晶體管, MOSFET, N溝道, 59 A, 100 V, 25 mohm, 10 V, 5.5 V

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