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描述: Trans IGBT Chip N-CH 1200V 11A 60000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK Tube
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封 裝: TO-263-3
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包裝方式: Tube
標準包裝數: 1
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技術參數/額定電壓(DC):

1.20 kV

?

技術參數/額定電流:

11.0 A

?

技術參數/極性:

N-Channel

?

技術參數/耗散功率:

60 W

?

技術參數/產品系列:

IRG4BH20K-S

?

技術參數/上升時間:

26 ns

?

技術參數/擊穿電壓(集電極-發(fā)射極):

1200 V

?

技術參數/熱阻:

2.1℃/W (RθJC)

?

技術參數/額定功率(Max):

60 W

?

技術參數/工作溫度(Max):

150 ℃

?

技術參數/工作溫度(Min):

-55 ℃

?

封裝參數/安裝方式:

Surface Mount

?

封裝參數/引腳數:

3

?

封裝參數/封裝:

TO-263-3

?

外形尺寸/封裝:

TO-263-3

?

物理參數/工作溫度:

-55℃ ~ 150℃

?

其他/產品生命周期:

Active

?

其他/包裝方式:

Tube

?

符合標準/RoHS標準:

RoHS Compliant

?

符合標準/含鉛標準:

Lead Free

?

符合標準/REACH SVHC標準:

No SVHC

?

符合標準/REACH SVHC版本:

2014/12/17

?

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