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描述: N 通道功率 MOSFET 8A 至 12A,Infineon Infineon 系列分離式 HEXFET? 功率 MOSFET 包括 N 通道設(shè)備,采用表面安裝和引線封裝。 形狀系數(shù)可解決大多數(shù)板布局和熱設(shè)計挑戰(zhàn)問題。 在整個范圍內(nèi),基準導通電阻減少了傳導損耗,讓設(shè)計人員可以提供最佳系統(tǒng)效率。 ### MOSFET 晶體管,Infineon (IR) Infineon 全面的堅固單和雙 N 通道和 P 通道設(shè)備組合提供快速切換速度,且可滿足各種電源需求。 應(yīng)用范圍從交流-直流和直流-直流電源到音頻和消費電子產(chǎn)品,從電動機控制到照明和家用電器。
商品二維碼
封 裝: PQFN-6
貨 期:
包裝方式: Tape & Reel (TR)
標準包裝數(shù): 1
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50+:
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100+:
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500+:
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技術(shù)參數(shù)/通道數(shù):

1

?

技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù):

6

?

技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻:

0.012 Ω

?

技術(shù)參數(shù)/極性:

N-Channel

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率:

2.1 W

?

技術(shù)參數(shù)/閾值電壓:

1.1 V

?

技術(shù)參數(shù)/輸入電容:

1019 pF

?

技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds):

30 V

?

技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids):

8.7A

?

技術(shù)參數(shù)/上升時間:

13 ns

?

技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss):

1019pF @25V(Vds)

?

技術(shù)參數(shù)/下降時間:

13 ns

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max):

150 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min):

-55 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max):

2.1W (Ta)

?

封裝參數(shù)/安裝方式:

Surface Mount

?

封裝參數(shù)/引腳數(shù):

6

?

封裝參數(shù)/封裝:

PQFN-6

?

外形尺寸/長度:

2.1 mm

?

外形尺寸/寬度:

2.1 mm

?

外形尺寸/高度:

0.95 mm

?

外形尺寸/封裝:

PQFN-6

?

物理參數(shù)/工作溫度:

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

?

其他/產(chǎn)品生命周期:

Active

?

其他/包裝方式:

Tape & Reel (TR)

?

其他/制造應(yīng)用:

Isolated Secondary Side SyncRec MOSFETs, Load Switch, DC Switches, Battery Protection, Load Switch High Side, Isolated Primary Side MOSFETs, Load Switch Low Side

?

符合標準/RoHS標準:

RoHS Compliant

?

符合標準/含鉛標準:

Lead Free

?

符合標準/REACH SVHC版本:

2015/12/17

?

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型號 品牌 相似度 封裝 簡介 數(shù)據(jù)手冊
FDMA430NZ FDMA430NZ ON Semiconductor (安森美) 功能相似 VDFN-6
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMA430NZ 晶體管, MOSFET, N溝道, 5 A, 30 V, 0.0236 ohm, 4.5 V, 810 mV

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