技術(shù)參數(shù)/額定功率: | 1.25 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù): | 3 | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻: | 0.035 Ω | ? |
技術(shù)參數(shù)/極性: | N-Channel | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率: | 1.25 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/閾值電壓: | 1.2 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容: | 740 pF | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds): | 20 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源擊穿電壓: | 20 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids): | 4.2A | ? |
技術(shù)參數(shù)/上升時(shí)間: | 10 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss): | 740pF @15V(Vds) | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max): | 1.25 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/下降時(shí)間: | 26 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max): | 150 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min): | -55 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max): | 1.25W (Ta) | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式: | Surface Mount | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù): | 3 | ? |
封裝參數(shù)/封裝: | SOT-23-3 | ? |
外形尺寸/長(zhǎng)度: | 3.04 mm | ? |
外形尺寸/封裝: | SOT-23-3 | ? |
物理參數(shù)/材質(zhì): | Silicon | ? |
物理參數(shù)/工作溫度: | -55℃ ~ 150℃ (TJ) | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期: | Active | ? |
其他/包裝方式: | Tape & Reel (TR) | ? |
其他/制造應(yīng)用: | 工業(yè), 電源管理, DC Switches, 消費(fèi)電子產(chǎn)品, Load Switch, 便攜式器材 | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn): | RoHS Compliant | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn): | Lead Free | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/REACH SVHC版本: | 2015/12/17 | ? |
型號(hào) | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡(jiǎn)介 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
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IRF | 類(lèi)似代替 |
SOT-23 N-CH 20V 4.2A
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![]() |
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-23-3 |
ON SEMICONDUCTOR MGSF2N02ELT1G 晶體管, MOSFET, N溝道, 2.8 A, 20 V, 0.078 ohm, 4.5 V, 1 V
|
||
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Infineon (英飛凌) | 完全替代 | SOT-23-3 |
HEXFET? N 通道功率 MOSFET 最大 50A,Infineon HEXFET? 電源 MOSFET 具有各種堅(jiān)固的單 N 通道設(shè)備,用于為音頻、消費(fèi)電子產(chǎn)品、電動(dòng)機(jī)控制和照明及家用電器提供交流到直流和直流到直流電源。 ### MOSFET 晶體管,Infineon (IR) Infineon 全面的堅(jiān)固單和雙 N 通道和 P 通道設(shè)備組合提供快速切換速度,且可滿足各種電源需求。 應(yīng)用范圍從交流-直流和直流-直流電源到音頻和消費(fèi)電子產(chǎn)品,從電動(dòng)機(jī)控制到照明和家用電器。
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