技術(shù)參數(shù)/耗散功率: | 500 mW | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容: | 30 pF | ? |
技術(shù)參數(shù)/擊穿電壓(集電極-發(fā)射極): | 60 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/最小電流放大倍數(shù)(hFE): | 100 @150mA, 10V | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max): | 500 mW | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max): | 200 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min): | -65 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max): | 500 mW | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式: | Surface Mount | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù): | 4 | ? |
封裝參數(shù)/封裝: | SMD-4 | ? |
外形尺寸/封裝: | SMD-4 | ? |
物理參數(shù)/材質(zhì): | Silicon | ? |
物理參數(shù)/工作溫度: | -65℃ ~ 200℃ (TJ) | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期: | Active | ? |
其他/包裝方式: | Pack | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn): | Non-Compliant | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn): | Contains Lead | ? |
海關(guān)信息/ECCN代碼: | EAR99 | ? |
型號 | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數(shù)據(jù)手冊 | |
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ST Microelectronics (意法半導(dǎo)體) | 類似代替 |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 3Pin CSOT-23
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![]() |
Microsemi (美高森美) | 類似代替 | Surface Mount |
PNP小信號硅晶體管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR
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![]() |
Microsemi (美高森美) | 類似代替 | SMD-4 |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 3Pin CSOT-23
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