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描述: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) IS42S16160G-7BLI 芯片, 存儲器, SDRAM, SDR, 256MB, 3.3V, 54BGA
商品二維碼
封 裝: BGA-54
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包裝方式: Tray
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技術參數/供電電流:

130 mA

?

技術參數/針腳數:

54

?

技術參數/時鐘頻率:

143 MHz

?

技術參數/位數:

16

?

技術參數/存取時間:

7 ns

?

技術參數/存取時間(Max):

5.4 ns

?

技術參數/工作溫度(Max):

85 ℃

?

技術參數/工作溫度(Min):

-40 ℃

?

技術參數/電源電壓:

3V ~ 3.6V

?

技術參數/電源電壓(Max):

3.6 V

?

技術參數/電源電壓(Min):

3 V

?

封裝參數/安裝方式:

Surface Mount

?

封裝參數/引腳數:

54

?

封裝參數/封裝:

BGA-54

?

外形尺寸/封裝:

BGA-54

?

物理參數/工作溫度:

-40℃ ~ 85℃

?

其他/產品生命周期:

Active

?

其他/包裝方式:

Tray

?

其他/制造應用:

Computers & Computer Peripherals, Commercial, 計算機和計算機周邊, 商業(yè), Industrial, 工業(yè)

?

符合標準/RoHS標準:

RoHS Compliant

?

符合標準/含鉛標準:

PB free

?

符合標準/REACH SVHC標準:

No SVHC

?

符合標準/REACH SVHC版本:

2015/06/15

?

海關信息/ECCN代碼:

EAR99

?

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型號 品牌 相似度 封裝 簡介 數據手冊
IS42S16160D-7BLI IS42S16160D-7BLI Integrated Silicon Solution(ISSI) 完全替代 TFBGA-54
RAM, ISSI **ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口,具有可編程 CAS 等待時間(2/3 時鐘)。 可使用管道流程實現高速數據傳輸,且同步 DRAM SDR 系列可提供脈沖讀/寫功能,且脈沖讀/單寫入使其特別適用于計算機應用。 **ISSI** SDR SDRAM 設備提供不同的組織和存儲器大小系列,工作電源為 3.3V。 LVTTL 接口 有關輸入/輸出信號,請參考時鐘輸入的上升邊緣 可編程脈沖序列:連續(xù)/交錯;可編程脈沖長度 每個時鐘周期的隨機列地址 自刷新和自動刷新模式 ### 動態(tài) RAM
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