技術參數/供電電流: | 130 mA | ? |
技術參數/針腳數: | 54 | ? |
技術參數/時鐘頻率: | 143 MHz | ? |
技術參數/位數: | 16 | ? |
技術參數/存取時間: | 7 ns | ? |
技術參數/存取時間(Max): | 5.4 ns | ? |
技術參數/工作溫度(Max): | 85 ℃ | ? |
技術參數/工作溫度(Min): | -40 ℃ | ? |
技術參數/電源電壓: | 3V ~ 3.6V | ? |
技術參數/電源電壓(Max): | 3.6 V | ? |
技術參數/電源電壓(Min): | 3 V | ? |
封裝參數/安裝方式: | Surface Mount | ? |
封裝參數/引腳數: | 54 | ? |
封裝參數/封裝: | BGA-54 | ? |
外形尺寸/封裝: | BGA-54 | ? |
物理參數/工作溫度: | -40℃ ~ 85℃ | ? |
其他/產品生命周期: | Active | ? |
其他/包裝方式: | Tray | ? |
其他/制造應用: | Computers & Computer Peripherals, Commercial, 計算機和計算機周邊, 商業(yè), Industrial, 工業(yè) | ? |
符合標準/RoHS標準: | RoHS Compliant | ? |
符合標準/含鉛標準: | PB free | ? |
符合標準/REACH SVHC標準: | No SVHC | ? |
符合標準/REACH SVHC版本: | 2015/06/15 | ? |
海關信息/ECCN代碼: | EAR99 | ? |
型號 | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數據手冊 | |
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Integrated Silicon Solution(ISSI) | 完全替代 | TFBGA-54 |
RAM, ISSI **ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口,具有可編程 CAS 等待時間(2/3 時鐘)。 可使用管道流程實現高速數據傳輸,且同步 DRAM SDR 系列可提供脈沖讀/寫功能,且脈沖讀/單寫入使其特別適用于計算機應用。 **ISSI** SDR SDRAM 設備提供不同的組織和存儲器大小系列,工作電源為 3.3V。 LVTTL 接口 有關輸入/輸出信號,請參考時鐘輸入的上升邊緣 可編程脈沖序列:連續(xù)/交錯;可編程脈沖長度 每個時鐘周期的隨機列地址 自刷新和自動刷新模式 ### 動態(tài) RAM
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