技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù): | 8 | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻: | 0.019 Ω | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率: | 2 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/閾值電壓: | 1.9 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds): | 30 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss): | 575pF @15V(Vds) | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max): | 900 mW | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max): | 150 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min): | -55 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max): | 2000 mW | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù): | 8 | ? |
封裝參數(shù)/封裝: | SOIC-8 | ? |
外形尺寸/封裝: | SOIC-8 | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期: | Unknown | ? |
其他/包裝方式: | Tape & Reel (TR) | ? |
其他/制造應(yīng)用: | Power Management, Consumer Electronics, 消費(fèi)電子產(chǎn)品, 電源管理 | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn): | RoHS Compliant | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn): | Lead Free | ? |
型號(hào) | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡(jiǎn)介 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
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International Rectifier (國(guó)際整流器) | 功能相似 | SOIC-8 |
N/P 通道功率 MOSFET,Infineon Infineon 雙功率 MOSFET 集成了兩個(gè) HEXFET? 設(shè)備,以便在板空間要求嚴(yán)格的高元件密度設(shè)計(jì)中提供經(jīng)濟(jì)實(shí)惠節(jié)省空間的切換解決方案。 提供各種封裝選項(xiàng),設(shè)計(jì)人員可以選擇雙 N/P 通道配置。 ### MOSFET 晶體管,Infineon (IR) Infineon 全面的堅(jiān)固單和雙 N 通道和 P 通道設(shè)備組合提供快速切換速度,且可滿(mǎn)足各種電源需求。 應(yīng)用范圍從交流-直流和直流-直流電源到音頻和消費(fèi)電子產(chǎn)品,從電動(dòng)機(jī)控制到照明和家用電器。
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International Rectifier (國(guó)際整流器) | 功能相似 | SOIC |
SOIC N+P 30V 7.3A/5.3A
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IRF | 功能相似 |
SOIC N+P 30V 7.3A/5.3A
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