芯片AI顧問
技術(shù)參數(shù)/額定電壓(DC)： | 600 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定電流： | 7.50 A | ? |
技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù)： | 3 | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻： | 1 Ω | ? |
技術(shù)參數(shù)/極性： | N-Channel | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率： | 147 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/閾值電壓： | 4 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds)： | 600 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源擊穿電壓： | 600 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/柵源擊穿電壓： | ±30.0 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids)： | 7.50 A | ? |
技術(shù)參數(shù)/上升時間： | 60.5 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss)： | 1255pF @25V(Vds) | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max)： | 147 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/下降時間： | 64.5 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)： | 150 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min)： | -55 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max)： | 147W (Tc) | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Through Hole | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 3 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | TO-220-3 | ? |
外形尺寸/長度： | 10.67 mm | ? |
外形尺寸/寬度： | 4.7 mm | ? |
外形尺寸/高度： | 16.3 mm | ? |
外形尺寸/封裝： | TO-220-3 | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Not Recommended for New Designs | ? |
其他/包裝方式： | Tube | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn)： | RoHS Compliant | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn)： | Lead Free | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/REACH SVHC標(biāo)準(zhǔn)： | No SVHC | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/REACH SVHC版本： | 2015/06/15 | ? |
海關(guān)信息/ECCN代碼： | EAR99 | ? |
| 型號 | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數(shù)據(jù)手冊 | |
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STP55NF06L
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ST Microelectronics (意法半導(dǎo)體) | 功能相似 | TO-220-3 |
STMICROELECTRONICS STP55NF06L.. 場效應(yīng)管, MOSFET, N溝道
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