技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù)： | 8 | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻： | 0.0065 Ω | ? |
技術(shù)參數(shù)/極性： | P-Channel | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率： | 2.5 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/閾值電壓： | 1.9 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds)： | 30 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/柵源擊穿電壓： | ±25.0 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids)： | 14.5 mA | ? |
技術(shù)參數(shù)/上升時間： | 16 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss)： | 4700pF @15V(Vds) | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max)： | 1 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/下降時間： | 105 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)： | 150 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min)： | -55 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max)： | 2.5W (Ta) | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Surface Mount | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 8 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | SOIC-8 | ? |
外形尺寸/長度： | 5 mm | ? |
外形尺寸/寬度： | 4 mm | ? |
外形尺寸/高度： | 1.5 mm | ? |
外形尺寸/封裝： | SOIC-8 | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Active | ? |
其他/包裝方式： | Tape & Reel (TR) | ? |
符合標準/RoHS標準： | RoHS Compliant | ? |
符合標準/含鉛標準： | Lead Free | ? |
符合標準/REACH SVHC標準： | No SVHC | ? |
符合標準/REACH SVHC版本： | 2015/06/15 | ? |
海關(guān)信息/ECCN代碼： | EAR99 | ? |
| 型號 | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數(shù)據(jù)手冊 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
Rochester (羅切斯特) | 類似代替 | SOT |
PowerTrench? P 通道 MOSFET，F(xiàn)airchild Semiconductor PowerTrench? MOSFET 是優(yōu)化的電源開關(guān)，可提高系統(tǒng)效率和功率密度。 它們組合了小柵極電荷 (Qg)、小反向恢復(fù)電荷 (Qrr) 和軟性反向恢復(fù)主體二極管，有助于快速切換交流/直流電源中的同步整流。 最新的 PowerTrench? MOSFET 采用屏蔽柵極結(jié)構(gòu)，可提供電荷平衡。 利用這一先進技術(shù)，這些設(shè)備的 FOM（品質(zhì)因素）顯著低于之前的 FOM。 PowerTrench? MOSFET 的軟性主體二極管性能可無需緩沖電路或替換更高額定電壓的 MOSFET。 ### MOSFET 晶體管，F(xiàn)airchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 設(shè)備組合，包括高電壓 (>250V) 低電壓 (Fairchild MOSFET 通過降低電壓峰值和過沖提供極佳的設(shè)計可靠性，以減少結(jié)電容和反向恢復(fù)電荷，無需額外外部元件即可保持系統(tǒng)啟動和運行更長時間。
|
?Copyright 2013-2025 億配芯城（深圳）電子科技有限公司 粵ICP備17008354號
最有幫助的評價
最新評價
暫時還沒有評價
期待你分享科技帶來的樂趣