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描述:
PowerTrench? 雙 N 通道 MOSFET,F(xiàn)airchild Semiconductor PowerTrench? MOSFET 是優(yōu)化的電源開關,可提供高系統(tǒng)效率和功率密度。 它們組合了小柵極電荷 (Qg)、小反向恢復電荷 (Qrr) 和軟性反向恢復主體二極管,有助于快速切換交流/直流電源中的同步整流。 最新的 PowerTrench? MOSFET 采用屏蔽柵極結構,可提供電荷平衡。 利用這一先進技術,這些設備的 FOM(品質因素)顯著低于前一代的 FOM。 PowerTrench? MOSFET 的軟性主體二極管性能可無需緩沖電路或替換更高額定電壓的 MOSFET。 ### MOSFET 晶體管,F(xiàn)airchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 設備組合,包括高電壓 (>250V) 低電壓 (Fairchild MOSFET 通過降低電壓峰值和過沖提供極佳的設計可靠性,以減少結電容和反向恢復電荷,無需額外外部元件即可保持系統(tǒng)啟動和運行更長時間。
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技術參數(shù)/極性: | N-CH | ? |
技術參數(shù)/耗散功率: | 2100@Q 1|2300@Q 2mW | ? |
技術參數(shù)/漏源極電壓(Vds): | 25 V | ? |
技術參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids): | 20A/41A | ? |
技術參數(shù)/輸入電容(Ciss): | 2375pF @13V(Vds) | ? |
技術參數(shù)/額定功率(Max): | 2.1W, 2.3W | ? |
技術參數(shù)/工作溫度(Max): | 150 ℃ | ? |
技術參數(shù)/工作溫度(Min): | -55 ℃ | ? |
技術參數(shù)/耗散功率(Max): | 21 W | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式: | Surface Mount | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù): | 8 | ? |
封裝參數(shù)/封裝: | PowerWDFN-8 | ? |
外形尺寸/長度: | 5.1 mm | ? |
外形尺寸/寬度: | 6.1 mm | ? |
外形尺寸/高度: | 0.75 mm | ? |
外形尺寸/封裝: | PowerWDFN-8 | ? |
物理參數(shù)/工作溫度: | -55℃ ~ 150℃ (TJ) | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期: | Active | ? |
其他/包裝方式: | Tape & Reel (TR) | ? |
符合標準/RoHS標準: | RoHS Compliant | ? |
符合標準/含鉛標準: | Lead Free | ? |
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