技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù)： | 6 | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻： | 0.127 Ω | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率： | 0.96 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/閾值電壓： | 900 mV | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds)： | 20 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/上升時(shí)間： | 9 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss)： | 441pF @10V(Vds) | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max)： | 700 mW | ? |
技術(shù)參數(shù)/下降時(shí)間： | 3 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)： | 150 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min)： | -55 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max)： | 960 mW | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Surface Mount | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 6 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | TSOT-23-6 | ? |
外形尺寸/長(zhǎng)度： | 3 mm | ? |
外形尺寸/寬度： | 1.7 mm | ? |
外形尺寸/高度： | 1 mm | ? |
外形尺寸/封裝： | TSOT-23-6 | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | -55℃ ~ 150℃ | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Active | ? |
其他/包裝方式： | Tape & Reel (TR) | ? |
其他/制造應(yīng)用： | 電源管理, 工業(yè) | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn)： | RoHS Compliant | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn)： | Lead Free | ? |
| 型號(hào) | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡(jiǎn)介 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
Rochester (羅切斯特) | 類似代替 | SOT |
ON Semiconductor PowerTrench 系列 雙 Si P溝道 MOSFET FDC6318P, 2.5 A, Vds=12 V, 6引腳 SOT-23封裝
|
||
FDC6312P
|
ON Semiconductor (安森美) | 類似代替 | TSOT-23-6 |
PowerTrench? 雙 P 通道 MOSFET，F(xiàn)airchild Semiconductor PowerTrench? MOSFET 是優(yōu)化的電源開(kāi)關(guān)，可提高系統(tǒng)效率和功率密度。 它們組合了小柵極電荷 (Qg)、小反向恢復(fù)電荷 (Qrr) 和軟性反向恢復(fù)主體二極管，有助于快速切換交流/直流電源中的同步整流。 最新的 PowerTrench? MOSFET 采用屏蔽柵極結(jié)構(gòu)，可提供電荷平衡。 利用這一先進(jìn)技術(shù)，這些設(shè)備的 FOM（品質(zhì)因素）顯著低于前一代的 FOM。 PowerTrench? MOSFET 的軟性主體二極管性能可無(wú)需緩沖電路或替換更高額定電壓的 MOSFET。 ### MOSFET 晶體管，F(xiàn)airchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 設(shè)備組合，包括高電壓 (>250V) 低電壓 (<250V) 類型。 先進(jìn)的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強(qiáng)型封裝中。 Fairchild MOSFET 通過(guò)降低電壓峰值和過(guò)沖提供極佳的設(shè)計(jì)可靠性，以減少結(jié)電容和反向恢復(fù)電荷，無(wú)需額外外部元件即可保持系統(tǒng)啟動(dòng)和運(yùn)行更長(zhǎng)時(shí)間。
|
?Copyright 2013-2025 億配芯城（深圳）電子科技有限公司 粵ICP備17008354號(hào)
最有幫助的評(píng)價(jià)
最新評(píng)價(jià)
暫時(shí)還沒(méi)有評(píng)價(jià)
期待你分享科技帶來(lái)的樂(lè)趣