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型號: FDA18N50
描述: ON Semiconductor UniFET 系列 Si N溝道 MOSFET FDA18N50, 19 A, Vds=500 V, 3引腳 TO-3P封裝
商品二維碼
封 裝: TO-3-3
貨 期:
包裝方式: Rail, Tube
標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù): 1
9.51  元 9.51元
10+:
¥ 11.4120
100+:
¥ 10.8414
500+:
¥ 10.4610
1000+:
¥ 10.4420
2000+:
¥ 10.3659
5000+:
¥ 10.2708
7500+:
¥ 10.1947
10000+:
¥ 10.1567
數(shù)量
10+
100+
500+
1000+
2000+
價(jià)格
11.4120
10.8414
10.4610
10.4420
10.3659
價(jià)格 11.4120 10.8414 10.4610 10.4420 10.3659
起批量 10+ 100+ 500+ 1000+ 2000+
  • 運(yùn)費(fèi)   有貨 運(yùn)費(fèi)價(jià)格:13.00
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技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù):

3

?

技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻:

0.22 Ω

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率:

239 W

?

技術(shù)參數(shù)/閾值電壓:

5 V

?

技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds):

500 V

?

技術(shù)參數(shù)/上升時(shí)間:

165 ns

?

技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss):

2200pF @25V(Vds)

?

技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max):

239 W

?

技術(shù)參數(shù)/下降時(shí)間:

90 ns

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max):

150 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min):

-55 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max):

239 W

?

封裝參數(shù)/安裝方式:

Through Hole

?

封裝參數(shù)/引腳數(shù):

3

?

封裝參數(shù)/封裝:

TO-3-3

?

外形尺寸/長度:

15.8 mm

?

外形尺寸/寬度:

5 mm

?

外形尺寸/高度:

18.9 mm

?

外形尺寸/封裝:

TO-3-3

?

物理參數(shù)/工作溫度:

-55℃ ~ 150℃

?

其他/產(chǎn)品生命周期:

Active

?

其他/包裝方式:

Rail, Tube

?

其他/制造應(yīng)用:

照明, 消費(fèi)電子產(chǎn)品, 電源管理

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn):

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn):

Lead Free

?

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