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QFET? N 通道 MOSFET,11A 至 30A,F(xiàn)airchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET? 平面 MOSFET 使用先進(jìn)的專利技術(shù)為廣泛的應(yīng)用提供最佳的工作性能,包括電源、PFC(功率因數(shù)校正)、直流-直流轉(zhuǎn)換器、等離子顯示面板 (PDP)、照明鎮(zhèn)流器和運(yùn)動控制。 它們通過降低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 來減少通態(tài)損耗,并通過降低柵極電荷 (Qg) 和輸出電容 (Coss) 來減少切換損耗。 通過使用先進(jìn)的 QFET? 工藝技術(shù),F(xiàn)airchild 可提供比競爭平面 MOSFET 設(shè)備更高的品質(zhì)因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶體管,F(xiàn)airchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 設(shè)備組合,包括高電壓 (>250V) 低電壓 (<250V) 類型。 先進(jìn)的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強(qiáng)型封裝中。 Fairchild MOSFET 通過降低電壓峰值和過沖提供極佳的設(shè)計(jì)可靠性,以減少結(jié)電容和反向恢復(fù)電荷,無需額外外部元件即可保持系統(tǒng)啟動和運(yùn)行更長時間。
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技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù): | 3 | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻: | 0.27 Ω | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率: | 170 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/閾值電壓: | 5 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds): | 400 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/上升時間: | 185 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss): | 1800pF @25V(Vds) | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max): | 170 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/下降時間: | 105 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max): | 150 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min): | -55 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max): | 170 W | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式: | Through Hole | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù): | 3 | ? |
封裝參數(shù)/封裝: | TO-220-3 | ? |
外形尺寸/長度: | 10.1 mm | ? |
外形尺寸/寬度: | 4.7 mm | ? |
外形尺寸/高度: | 9.4 mm | ? |
外形尺寸/封裝: | TO-220-3 | ? |
物理參數(shù)/工作溫度: | -55℃ ~ 150℃ | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期: | Active | ? |
其他/包裝方式: | Rail, Tube | ? |
其他/制造應(yīng)用: | 電源管理, 照明 | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn): | | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn): | Lead Free | ? |
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