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描述：
UltraFET? MOSFET，F(xiàn)airchild Semiconductor UItraFET? Trench MOSFET 組合了在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)基準(zhǔn)效率的特性。 該設(shè)備可耐受雪崩模式中的高能量，且二極管展現(xiàn)出非常短的反向恢復(fù)時(shí)間和積累電荷。 為高頻率時(shí)的效率、最低 RDS（接通）、低 ESR 和低總柵極電荷和 Miller 柵極電荷進(jìn)行了優(yōu)化。 應(yīng)用：高頻直流-直流轉(zhuǎn)換器、開關(guān)調(diào)節(jié)器、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器、低電壓總線開關(guān)和電源管理。 ### MOSFET 晶體管，F(xiàn)airchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 設(shè)備組合，包括高電壓 (>250V) 低電壓 (<250V) 類型。 先進(jìn)的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強(qiáng)型封裝中。 Fairchild MOSFET 通過降低電壓峰值和過沖提供極佳的設(shè)計(jì)可靠性，以減少結(jié)電容和反向恢復(fù)電荷，無需額外外部元件即可保持系統(tǒng)啟動(dòng)和運(yùn)行更長時(shí)間。
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Tape & Reel (TR)
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技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds)： | 200 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/上升時(shí)間： | 11 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss)： | 1740pF @100V(Vds) | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max)： | 2.5 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/下降時(shí)間： | 10 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)： | 150 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min)： | -55 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max)： | 78 W | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Surface Mount | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 8 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | Power-56 | ? |
外形尺寸/長度： | 5 mm | ? |
外形尺寸/寬度： | 6 mm | ? |
外形尺寸/高度： | 0.75 mm | ? |
外形尺寸/封裝： | Power-56 | ? |
物理參數(shù)/材質(zhì)： | Silicon | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Active | ? |
其他/包裝方式： | Tape & Reel (TR) | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn)： | RoHS Compliant | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn)： | Lead Free | ? |
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