封裝參數(shù)/封裝： | DIP-4 | ? |
外形尺寸/封裝： | DIP-4 | ? |
其他/FET類型： | P-Channel | ? |
其他/Vgs(最大值)： | ±20V | ? |
其他/Rds On(Max)@Id,Vgs： | 600 mOhms @ 600mA,10V | ? |
其他/連續(xù)漏極電流Id： | 1A(Ta) | ? |
其他/漏源極電壓Vds： | 100V | ? |
其他/工作溫度： | -55℃~175℃ | ? |
其他/封裝/外殼： | 4-DIP | ? |
其他/Vgs(th)： | 4V @ 250uA | ? |
其他/Pd-功率耗散(Max)： | 1.3W | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn)： | Non-Compliant | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn)： | Contains Lead | ? |
| 型號 | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數(shù)據(jù)手冊 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRFD9120PBF
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Infineon (英飛凌) | 類似代替 | DIP |
MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP
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LiteOn (光寶) | 類似代替 | HVMDIP-4 |
MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP
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IRFD9120PBF
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Vishay Precision Group | 類似代替 | Through Hole |
MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP
|
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IRFD9120
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VISHAY (威世) | 類似代替 | DIP-4 |
P溝道 100V 1A
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