芯片AI顧問(wèn)
技術(shù)參數(shù)/輸出電壓： | 4.83 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/電路數(shù)： | 1 | ? |
技術(shù)參數(shù)/通道數(shù)： | 1 | ? |
技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù)： | 8 | ? |
技術(shù)參數(shù)/共模抑制比： | 120 dB | ? |
技術(shù)參數(shù)/帶寬： | 10 kHz | ? |
技術(shù)參數(shù)/增益： | 4.00 dB | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入補(bǔ)償電壓： | 0.07 mV | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入偏置電流： | 25000 nA | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)： | 125 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min)： | -40 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/增益帶寬： | 120 dB | ? |
技術(shù)參數(shù)/精度： | ±0.4 % | ? |
技術(shù)參數(shù)/共模抑制比(Min)： | 120 dB | ? |
技術(shù)參數(shù)/電源電壓(Max)： | 18 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/電源電壓(Min)： | 2.7 V | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Surface Mount | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 8 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | SOIC-8 | ? |
外形尺寸/長(zhǎng)度： | 5 mm | ? |
外形尺寸/寬度： | 4 mm | ? |
外形尺寸/高度： | 1.5 mm | ? |
外形尺寸/封裝： | SOIC-8 | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | -40℃ ~ 125℃ | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Active | ? |
其他/包裝方式： | Tube | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn)： | RoHS Compliant | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn)： | Lead Free | ? |
| 型號(hào) | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡(jiǎn)介 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
|---|---|---|---|---|---|---|
INA282AIDR
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TI (德州儀器) | 類(lèi)似代替 | SOIC-8 |
TEXAS INSTRUMENTS INA282AIDR 電流檢測(cè)放大器, 高精度, 1個(gè)放大器, 25 μA, SOIC, 8 引腳, -40 °C, 125 °C
|
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