技術參數(shù)/額定功率： | 89 W | ? |
技術參數(shù)/通道數(shù)： | 1 | ? |
技術參數(shù)/針腳數(shù)： | 7 | ? |
技術參數(shù)/漏源極電阻： | 0.00122 Ω | ? |
技術參數(shù)/極性： | N-Channel | ? |
技術參數(shù)/耗散功率： | 89 W | ? |
技術參數(shù)/閾值電壓： | 1.8 V | ? |
技術參數(shù)/輸入電容： | 6190 pF | ? |
技術參數(shù)/漏源極電壓(Vds)： | 30 V | ? |
技術參數(shù)/漏源擊穿電壓： | 30 V | ? |
技術參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids)： | 32A | ? |
技術參數(shù)/上升時間： | 31 ns | ? |
技術參數(shù)/輸入電容(Ciss)： | 6190pF @15V(Vds) | ? |
技術參數(shù)/下降時間： | 16 ns | ? |
技術參數(shù)/工作溫度(Max)： | 150 ℃ | ? |
技術參數(shù)/工作溫度(Min)： | -40 ℃ | ? |
技術參數(shù)/耗散功率(Max)： | 2.8W (Ta), 89W (Tc) | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Surface Mount | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 7 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | Direct-FET | ? |
外形尺寸/長度： | 6.35 mm | ? |
外形尺寸/寬度： | 5.05 mm | ? |
外形尺寸/高度： | 0.7 mm | ? |
外形尺寸/封裝： | Direct-FET | ? |
物理參數(shù)/材質： | Silicon | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | -40℃ ~ 150℃ (TJ) | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Active | ? |
其他/包裝方式： | Tape & Reel (TR) | ? |
符合標準/RoHS標準： | RoHS Compliant | ? |
符合標準/含鉛標準： | Lead Free | ? |
符合標準/REACH SVHC版本： | 2015/12/17 | ? |
海關信息/ECCN代碼： | EAR99 | ? |
| 型號 | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數(shù)據(jù)手冊 | |
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IRF6635TRPBF
|
Infineon (英飛凌) | 功能相似 | DirectFET-MX |
INFINEON IRF6635TRPBF 晶體管, MOSFET, N溝道, 180 A, 30 V, 0.0013 ohm, 10 V, 1.8 V 新
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