芯片AI顧問(wèn)
技術(shù)參數(shù)/額定功率： | 200 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù)： | 3 | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻： | 0.082 Ω | ? |
技術(shù)參數(shù)/極性： | N-Channel | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率： | 200 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/閾值電壓： | 5.5 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容： | 2370 pF | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds)： | 200 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源擊穿電壓： | 200 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids)： | 31A | ? |
技術(shù)參數(shù)/上升時(shí)間： | 38 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/熱阻： | 0.75℃/W (RθJC) | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss)： | 2370pF @25V(Vds) | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max)： | 3.1 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/下降時(shí)間： | 10 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)： | 175 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min)： | -55 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max)： | 3.1W (Ta), 200W (Tc) | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Through Hole | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 3 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | TO-220-3 | ? |
外形尺寸/長(zhǎng)度： | 10.54 mm | ? |
外形尺寸/寬度： | 4.69 mm | ? |
外形尺寸/高度： | 19.3 mm | ? |
外形尺寸/封裝： | TO-220-3 | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | -55℃ ~ 175℃ (TJ) | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Active | ? |
其他/包裝方式： | Tube | ? |
其他/制造應(yīng)用： | Power Management, 電源管理 | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn)： | RoHS Compliant | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn)： | Lead Free | ? |
| 型號(hào) | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡(jiǎn)介 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
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STP30NF20
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ST Microelectronics (意法半導(dǎo)體) | 功能相似 | TO-220-3 |
N 通道 STripFET?，STMicroelectronics ### MOSFET 晶體管，STMicroelectronics
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