技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻： | 9.7 mΩ | ? |
技術(shù)參數(shù)/極性： | N-Channel | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率： | 520 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/產(chǎn)品系列： | IRFP4668 | ? |
技術(shù)參數(shù)/閾值電壓： | 5 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容： | 10720pF @50V | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds)： | 200 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids)： | 130 A | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss)： | 10720pF @50V(Vds) | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max)： | 520 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)： | 175 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min)： | -55 ℃ | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Through Hole | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 3 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | TO-247-3 | ? |
外形尺寸/長度： | 15.87 mm | ? |
外形尺寸/高度： | 20.7 mm | ? |
外形尺寸/封裝： | TO-247-3 | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | -55℃ ~ 175℃ | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Active | ? |
其他/包裝方式： | Rail, Tube | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn)： | RoHS Compliant | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn)： | Lead Free | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/REACH SVHC標(biāo)準(zhǔn)： | No SVHC | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/REACH SVHC版本： | 2014/12/17 | ? |
海關(guān)信息/ECCN代碼： | EAR99 | ? |
| 型號 | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數(shù)據(jù)手冊 | |
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IFA | 類似代替 |
N 通道功率 MOSFET 50A 至 59A，Infineon Infineon 的分立 HEXFET? 功率 MOSFET 系列包括表面安裝和引線封裝的 N 通道設(shè)備，外形可應(yīng)對幾乎任何板布局和熱設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。 在整個(gè)范圍內(nèi)，基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻減少了傳導(dǎo)損耗，讓設(shè)計(jì)人員可以提供最佳系統(tǒng)效率。 ### MOSFET 晶體管，Infineon (IR) Infineon 全面的堅(jiān)固單和雙 N 通道和 P 通道設(shè)備組合提供快速切換速度，且可滿足各種電源需求。 應(yīng)用范圍從交流-直流和直流-直流電源到音頻和消費(fèi)電子產(chǎn)品，從電動機(jī)控制到照明和家用電器。
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IRFP250NPBF
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IXYS Semiconductor | 類似代替 |
INFINEON IRFP250NPBF 晶體管, MOSFET, N溝道, 30 A, 200 V, 75 mohm, 10 V, 4 V
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