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型號(hào): IPP80P03P4L-04
描述: INFINEON IPP80P03P4L-04 晶體管, MOSFET, P溝道, -80 A, -30 V, 0.0037 ohm, -10 V, -1.5 V
商品二維碼
封 裝: TO-220-3
貨 期:
包裝方式: Tube
標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù): 1
8  元 8元
10+:
¥ 9.6000
100+:
¥ 9.1200
500+:
¥ 8.8000
1000+:
¥ 8.7840
2000+:
¥ 8.7200
5000+:
¥ 8.6400
7500+:
¥ 8.5760
10000+:
¥ 8.5440
數(shù)量
10+
100+
500+
1000+
2000+
價(jià)格
9.6000
9.1200
8.8000
8.7840
8.7200
價(jià)格 9.6000 9.1200 8.8000 8.7840 8.7200
起批量 10+ 100+ 500+ 1000+ 2000+
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技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù):

3

?

技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻:

0.0037 Ω

?

技術(shù)參數(shù)/極性:

P-Channel

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率:

137 W

?

技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds):

30 V

?

技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids):

80A

?

技術(shù)參數(shù)/上升時(shí)間:

11 ns

?

技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss):

11300pF @25V(Vds)

?

技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max):

137 W

?

技術(shù)參數(shù)/下降時(shí)間:

40 ns

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max):

175 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min):

-55 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max):

137 W

?

封裝參數(shù)/安裝方式:

Through Hole

?

封裝參數(shù)/引腳數(shù):

3

?

封裝參數(shù)/封裝:

TO-220-3

?

外形尺寸/長(zhǎng)度:

10 mm

?

外形尺寸/寬度:

4.4 mm

?

外形尺寸/高度:

15.65 mm

?

外形尺寸/封裝:

TO-220-3

?

物理參數(shù)/工作溫度:

-55℃ ~ 175℃

?

其他/產(chǎn)品生命周期:

Active

?

其他/包裝方式:

Tube

?

其他/制造應(yīng)用:

High-Side MOSFETs for motor bridges (half-bridges, H-bridges, 3-phase-motors), Bridge configuration could be realized with 30V P-Channels high side device with no need of charge pump

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn):

RoHS Compliant

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn):

Lead Free

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/REACH SVHC標(biāo)準(zhǔn):

No SVHC

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/REACH SVHC版本:

2015/12/17

?

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IPP100P03P3L-04 IPP100P03P3L-04 Infineon (英飛凌) 類(lèi)似代替 TO-220-3
的OptiMOS -P溝道功率三極管 OptiMOS-P Trench Power-Transistor
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