技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù)： | 8 | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻： | 52 mΩ | ? |
技術(shù)參數(shù)/極性： | Dual N-Channel | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率： | 2 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/閾值電壓： | 1 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds)： | 30 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids)： | 4.50 A, 6.00 A | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)： | 150 ℃ | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Surface Mount | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 8 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | SOIC-8 | ? |
外形尺寸/長度： | 4.9 mm | ? |
外形尺寸/寬度： | 3.9 mm | ? |
外形尺寸/高度： | 1.75 mm | ? |
外形尺寸/封裝： | SOIC-8 | ? |
其他/包裝方式： | Tape & Reel (TR) | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn)： | RoHS Compliant | ? |
| 型號 | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數(shù)據(jù)手冊 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
SI4936CDY-T1-GE3
|
Vishay Siliconix | 類似代替 | SOIC-8 |
VISHAY SI4936CDY-T1-GE3 雙路場效應(yīng)管, MOSFET, 雙N溝道, 5.8 A, 30 V, 33 mohm, 10 V, 3 V
|
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