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型號(hào)： SIA110DJ-T1-GE3
描述： 晶體管, MOSFET, N溝道, 12 A, 100 V, 0.046 ohm, 10 V, 4 V
商品二維碼
封 裝： SC-70
貨 期：
包裝方式： Tape & Reel (TR)
標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù)： 1
49.24  元 49.24元
1+:
￥ 60.0728
10+:
￥ 56.6260
100+:
￥ 54.0655
250+:
￥ 53.6716
500+:
￥ 53.2777
1000+:
￥ 52.8345
2500+:
￥ 52.4406
5000+:
￥ 52.1944
數(shù)量
1+
10+
100+
250+
500+
價(jià)格
￥60.0728
￥56.6260
￥54.0655
￥53.6716
￥53.2777
價(jià)格 ￥ 60.0728 ￥ 56.6260 ￥ 54.0655 ￥ 53.6716 ￥ 53.2777
起批量 1+ 10+ 100+ 250+ 500+
  • 運(yùn)費(fèi)：   有貨 運(yùn)費(fèi)價(jià)格：￥13.00
  • 數(shù)量： 庫(kù)存(4697) 起訂量(1)
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技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù)：

6

?

技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻：

0.046 Ω

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率：

19 W

?

技術(shù)參數(shù)/閾值電壓：

4 V

?

技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds)：

100 V

?

技術(shù)參數(shù)/上升時(shí)間：

5 ns

?

技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss)：

550pF @50V(Vds)

?

技術(shù)參數(shù)/下降時(shí)間：

5 ns

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)：

150 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min)：

-55 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max)：

3500 mW

?

封裝參數(shù)/封裝：

SC-70

?

外形尺寸/封裝：

SC-70

?

其他/包裝方式：

Tape & Reel (TR)

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn)：

RoHS Compliant

?

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