技術(shù)參數(shù)/極性： | P-Channel | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率： | 1.10 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds)： | 12 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids)： | 4.8A | ? |
技術(shù)參數(shù)/上升時間： | 35 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/下降時間： | 50 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)： | 150 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min)： | -55 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max)： | 1.1 W | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Surface Mount | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 8 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | SO-8 | ? |
外形尺寸/封裝： | SO-8 | ? |
其他/包裝方式： | Tape & Reel (TR) | ? |
符合標準/RoHS標準： | RoHS Compliant | ? |
符合標準/含鉛標準： | Lead Free | ? |
符合標準/REACH SVHC標準： | No SVHC | ? |
| 型號 | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數(shù)據(jù)手冊 | |
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SI9933CDY-T1-GE3
|
VISHAY (威世) | 功能相似 | SOIC-8 |
P 通道 MOSFET，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶體管，Vishay Semiconductor
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