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型號(hào)： SGB02N60
描述： Insulated Gate Bipolar Transistor, 6A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
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SGB02N60 SGB02N60 Siemens Semiconductor (西門(mén)子) 功能相似
在NPT技術(shù)降低75 ％的Eoff快速I(mǎi)GBT相比上一代 Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation

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