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型號(hào): H11F1SR2M
描述: FET 輸出,F(xiàn)airchild Semiconductor 光電探測(cè)器從 IRED 發(fā)光二極管輸入以電氣方式隔離。 光耦合器如同理想的隔離 FET 一樣工作,設(shè)計(jì)用于無(wú)失真控制低交流和直流電平模擬信號(hào)。
商品二維碼
封 裝: SMD-DIP-6
貨 期:
包裝方式: Bulk
標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù): 1
11.49  元 11.49元
5+:
¥ 13.4433
50+:
¥ 12.8688
200+:
¥ 12.5471
500+:
¥ 12.4667
1000+:
¥ 12.3862
2500+:
¥ 12.2943
5000+:
¥ 12.2369
7500+:
¥ 12.1794
數(shù)量
5+
50+
200+
500+
1000+
價(jià)格
13.4433
12.8688
12.5471
12.4667
12.3862
價(jià)格 13.4433 12.8688 12.5471 12.4667 12.3862
起批量 5+ 50+ 200+ 500+ 1000+
  • 運(yùn)費(fèi)   有貨 運(yùn)費(fèi)價(jià)格:13.00
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技術(shù)參數(shù)/輸出電壓:

30 V

?

技術(shù)參數(shù)/通道數(shù):

1

?

技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù):

6

?

技術(shù)參數(shù)/正向電壓:

1.3 V

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率:

0.3 W

?

技術(shù)參數(shù)/隔離電壓:

7500 Vpk

?

技術(shù)參數(shù)/正向電流:

60 mA

?

技術(shù)參數(shù)/輸出電壓(Max):

30 V

?

技術(shù)參數(shù)/輸入電流(Min):

60 mA

?

技術(shù)參數(shù)/擊穿電壓:

5 V

?

技術(shù)參數(shù)/正向電壓(Max):

1.75 V

?

技術(shù)參數(shù)/正向電流(Max):

60 mA

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max):

100 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min):

-40 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max):

300 mW

?

封裝參數(shù)/安裝方式:

Surface Mount

?

封裝參數(shù)/引腳數(shù):

6

?

封裝參數(shù)/封裝:

SMD-DIP-6

?

外形尺寸/寬度:

6.6 mm

?

外形尺寸/高度:

3.53 mm

?

外形尺寸/封裝:

SMD-DIP-6

?

物理參數(shù)/工作溫度:

-40℃ ~ 100℃

?

其他/產(chǎn)品生命周期:

Active

?

其他/包裝方式:

Bulk

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn):

RoHS Compliant

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn):

Lead Free

?

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H11F1S H11F1S ON Semiconductor (安森美) 類似代替 DIP
MOSFET輸出光電耦合器 SO-6 ANALOG FET
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