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型號(hào)： HGT1S7N60C3D
描述： Insulated Gate Bipolar Transistor, 14A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-262AA
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品 牌： Harris
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HGT1S7N60C3D HGT1S7N60C3D Harris 功能相似
14A ， 600V ， UFS系列N溝道IGBT與反并聯(lián)二極管超高速 14A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes
FGB20N6S2D FGB20N6S2D ON Semiconductor (安森美) 功能相似 TO-263-3
600V ，開(kāi)關(guān)電源II系列N溝道IGBT與反并聯(lián)二極管StealthTM 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode
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