9月14日消息，氮化鎵（GaN）半導體領(lǐng)域的知名廠商Navitas正采取戰(zhàn)略舉措，擴大其在歐洲和美國的氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率器件生產(chǎn)能力。這一舉措旨在減少對中國臺灣地區(qū)的依賴。
目前，該公司依賴于中國臺灣半導體制造公司（TSMC）在新竹的Fab 2，該工廠配備了用于GaN生產(chǎn)的0.5微米加工設(shè)備。此外，Navitas還在歐洲利用位于德克薩斯州拉巴克的X-Fab進行SiC生產(chǎn)。?
Navitas的企業(yè)營銷與投資者關(guān)系副總裁Stephen Oliver就其擴張戰(zhàn)略發(fā)表了評論，他表示：“對于臺積電的GaN和德克薩斯州X-Fab的SiC，探索可改造舊工廠的替代來源是有意義的。在美國，有大約40家現(xiàn)有的6英寸或8英寸晶圓工廠，擁有高技能的工人。我們還積極尋求歐洲市場的機會?！?/p>
Oliver強調(diào)了他們尋求合作而非建立固定設(shè)施的意圖，他說：“我們不在尋找固定成本。最有可能的情況是與現(xiàn)有的晶圓工廠合作，但你確實需要一些尖端的人才來使其發(fā)揮作用?！贝送?，他透露了Navitas進軍高功率SiC模塊市場的計劃，并補充說：“通過收購VDD Tech，我們還獲得了數(shù)字隔離技術(shù)，為構(gòu)建更高功率模塊奠定了基礎(chǔ)?！?/p>
Navitas的戰(zhàn)略推動，將其氮化鎵和碳化硅功率器件生產(chǎn)能力擴展至中國臺灣和中國大陸以外地區(qū)，表明其致力于多元化供應(yīng)鏈，并滿足全球?qū)ο冗M半導體解決方案不斷增長的需求。這一舉措將使Navitas能夠開拓歐洲和美國市場的巨大潛力，同時促進功率電子領(lǐng)域的創(chuàng)新。
