7 月 26 日消息，據(jù) IP Fray 昨天報(bào)道，德國(guó)芯片廠商英飛凌在與中國(guó)國(guó)產(chǎn)氮化鎵芯片龍頭英諾賽科的美國(guó)專(zhuān)利侵權(quán)訴訟中，于 2024 年 7 月 23 日修改了起訴內(nèi)容。其中關(guān)鍵的變化是起訴英諾賽科的專(zhuān)利數(shù)量由起初的 1 件，大幅增加至 4 件。
早在 2024 年 3 月 13 日，英飛凌（奧地利子公司）就向美國(guó)加利福尼亞北區(qū)地方法院起訴英諾賽科侵犯其一項(xiàng)美國(guó)專(zhuān)利 US9,899,481。此專(zhuān)利涉及一種橫向晶體管裝置和具有源感應(yīng)功能的軟件包，例如安裝在表面貼裝器件 (SMD) 中的橫向高電子遷移率晶體管 (HEMT)，封裝可提供源感應(yīng)功能，以排除寄生源電感，而這種寄生源電感會(huì)導(dǎo)致在開(kāi)關(guān)速度較高時(shí)，能量損耗可能會(huì)增加。
在原始起訴書(shū)中，英飛凌指控英諾賽科復(fù)制了其專(zhuān)利技術(shù)，并給出了清晰的對(duì)比圖示。例如，英飛凌認(rèn)為英諾賽科的被控產(chǎn)品包括將源極焊盤(pán)（57）耦合到管芯焊盤(pán)（43）的多個(gè)接合線（61）。被控產(chǎn)品還包括 Kelvin Source（KS），它采用了獲得專(zhuān)利的 Source Sensing（48）功能（SS），可提高性能。
與原始起訴書(shū)類(lèi)似，英飛凌此次修改后的起訴書(shū)，在新增加的 3 個(gè)專(zhuān)利中，也給出了相對(duì)明晰的侵權(quán)比對(duì)。
新增專(zhuān)利 1 為 US8,686,562（’562 號(hào)專(zhuān)利），發(fā)明名稱(chēng)為“耐火金屬氮化物封端電觸點(diǎn)及其制作方法”?！?62 號(hào)專(zhuān)利涉及一種用于半導(dǎo)體器件（如 GaN 功率晶體管或使用至少一種 III 族元素（如 Ga）和一種 V 族元素（如氮）制造的其他半導(dǎo)體功率器件（“III-V?功率半導(dǎo)體器件”）的電觸點(diǎn)，并促進(jìn)與傳統(tǒng) IV 族半導(dǎo)體器件的兼容性和集成，如使用硅制造的器件?！?62 專(zhuān)利總體上描述了一種新型的難熔金屬氮化物覆蓋的電觸點(diǎn)，其提供了優(yōu)于傳統(tǒng)技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)，包括提高的成本效益以及更容易、更有效地集成 III-V 族功率半導(dǎo)體器件和硅器件。英飛凌認(rèn)為'562 專(zhuān)利指控的英諾賽科產(chǎn)品包括電極堆疊（漏極接觸焊盤(pán)金屬），其包括厚度大于最底部 Ti 層的氮化鈦（“TiN”）覆蓋層。
新增專(zhuān)利 2 是 US9,070,755（’755 號(hào)專(zhuān)利），發(fā)明名稱(chēng)為“具有高漏極指端的晶體管”?！?55 號(hào)專(zhuān)利描述了適用于高端電場(chǎng)的功率晶體管中的漏極指狀電極的實(shí)現(xiàn)。可以實(shí)現(xiàn)增加的擊穿電壓，同時(shí)通過(guò)更短的源極到漏極半間距保持較低的比導(dǎo)通電阻。英飛凌認(rèn)為’755 號(hào)專(zhuān)利指控的英諾賽科產(chǎn)品包括漏極指狀電極（620b），其具有漏極指形電極主體（624b）和漏極指電極端部（626b），該漏極指式電極端部具有與漏極指型電極主體不共面的部分。
新增專(zhuān)利 3 為 US8,264,003（’003 號(hào)專(zhuān)利），發(fā)明名稱(chēng)為“合并共源共柵晶體管”?！?03 號(hào)專(zhuān)利涉及一種具有柵極（G）的晶體管，其用于控制漏極（D）和源極（S）之間流動(dòng)的電流。它解決了在高壓和/或高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用中使用傳統(tǒng)晶體管時(shí)可能出現(xiàn)的挑戰(zhàn)。英飛凌認(rèn)為’003 號(hào)專(zhuān)利指控的英諾賽科產(chǎn)品包括一個(gè)晶體管，其第一部分 Q1 和第二部分 Q2 以合并的共源共柵幾何形狀串聯(lián)，并具有一個(gè)源極連接的第二柵極，該柵極包括一個(gè)場(chǎng)板。
值得注意的是，這起訴訟的時(shí)間點(diǎn)，剛好發(fā)生在英諾賽科擬登陸資本市場(chǎng)的前后。
