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7 月 22 日消息，據(jù)外媒 Tomshardware 報(bào)道，中國(guó) 3D?NAND?閃存制造商長(zhǎng)江存儲(chǔ)，日前再次將美光訴諸法庭。此次在美國(guó)加州北區(qū)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)指控美光侵犯了其多達(dá) 11 項(xiàng)專利，涵蓋 3D NAND?Flash?和?DRAM?產(chǎn)品領(lǐng)域。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)不僅提出這一指控，還向法院請(qǐng)求下令美光停止在美國(guó)銷售涉嫌侵權(quán)的存儲(chǔ)產(chǎn)品，并要求美光支付相應(yīng)的專利使用費(fèi)。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣稱，美光的 96 層（B27A）、128 層（B37R）、176 層（B47R）和 232 層（B58R）3D NAND Flash，以及美光的部分 DDR5 SDRAM 產(chǎn)品（Y2BM 系列），均侵犯了長(zhǎng)江存儲(chǔ)在美國(guó)提交的 11 項(xiàng)專利或?qū)＠暾?qǐng)。
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