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華為公布芯片封裝最新專利:倒裝可改善半導體的散熱、FPGA、GPU等都能用

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8月17日消息,近日從國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)獲悉,華為技術(shù)有限公司公開了一項名為“具有改進的熱性能的倒裝芯片封裝”的專利。該專利申請公布號為CN116601748A。?

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據(jù)了解,該專利提供了一種倒裝芯片封裝、一種裝備有應用封裝結(jié)構(gòu)的電路的裝置以及一種組裝封裝的方法。更直觀來說,就是一種提供芯片與散熱器之間的接觸方式,能幫助改善散熱性能。該專利可應用于CPU、GPU、FPGA(現(xiàn)場可編程門陣列)、ASIC(專用集成電路)等芯片類型,設(shè)備可以是智能手機、平板電腦、可穿戴移動設(shè)備、PC、工作站、服務器等。

專利提到,近年來,半導體封裝在處理性能方面的進步對熱性能提出了更高的要求,以確保穩(wěn)定操作。就此而言,倒裝芯片封裝在熱性能方面具有優(yōu)勢,因其結(jié)構(gòu)特征是芯片通過其下方凸塊與基板連接,能夠?qū)⑸崞鞫ㄎ辉谛酒捻敱砻嫔稀?

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華為的“具有改進的熱性能的倒裝芯片封裝專利”摘要如下:提供了一種倒裝芯片封裝,其中至少有一個芯片用于與基板連接;在基板上形成模制構(gòu)件,以包圍每個芯片的側(cè)部分并使每個芯片的頂表面裸露,其中,模制構(gòu)件的上表面具有與每個芯片的頂表面連續(xù)的第一區(qū)域、涂抹有粘合劑的第二區(qū)域以及包圍每個芯片的頂表面的壁狀結(jié)構(gòu),并且第一區(qū)域和第二區(qū)域由壁狀結(jié)構(gòu)分隔;放置在每個芯片的頂表面上方并由填充在第二區(qū)域中的粘合劑粘合到模制構(gòu)件的散熱器;填充在由第一區(qū)域、每個芯片的頂表面、散熱器的底表面的至少一部分和壁狀結(jié)構(gòu)的第一側(cè)形成的空間區(qū)域中的熱界面材料。?

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