10 月 22 日消息,韓媒 ZDNET Korea 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日?qǐng)?bào)道稱(chēng),
三星電子在本月實(shí)現(xiàn)了一項(xiàng)重大突破,首次開(kāi)發(fā)出 1c nm(第 6 代 10nm 級(jí))DRAM 內(nèi)存 Good Die 良品晶粒。這一成果在公司內(nèi)部得到了積極評(píng)價(jià)。
然而,
三星的 1c nm DRAM 量產(chǎn)開(kāi)發(fā)仍需一段時(shí)間。目前,首批產(chǎn)品良率不足一成。在產(chǎn)能方面,三星電子計(jì)劃在今年底前建成第一條 1c nm DRAM 內(nèi)存量產(chǎn)線(xiàn)。
參考相關(guān)報(bào)道,三星電子下代 HBM 內(nèi)存 HBM4 預(yù)計(jì)將基于 1c nm DRAM。三星此舉旨在通過(guò)制程優(yōu)勢(shì)追趕在 HBM3E 量產(chǎn)供應(yīng)上更為快速的 SK 海力士與
美光兩大對(duì)手,從而奪回在 HBM 領(lǐng)域的市場(chǎng)份額。
根據(jù)行業(yè)以往慣例,每代 DRAM 制程通常首先應(yīng)用于 DDR 通用內(nèi)存,然后逐漸擴(kuò)展到 LPDDR,最終再在對(duì) DRAM 良率與性能要求嚴(yán)苛的 HBM 上使用。
不過(guò),考慮到 1c nm DRAM 世代首臺(tái)產(chǎn)線(xiàn)直到今年底才會(huì)建成,全面量產(chǎn)最早也需要到 2025 上半年。而此前消息稱(chēng)三星電子 HBM4 將于 2025 年底量產(chǎn),這意味著三星很可能在 1c nm 上打破常規(guī)順序,對(duì)該 DRAM 制程的良率與性能爬坡速度提出了更高要求。
億配芯城(ICgoodFind)總結(jié):三星電子在 DRAM 領(lǐng)域的新突破為半導(dǎo)體行業(yè)帶來(lái)了新的活力。在競(jìng)爭(zhēng)激烈的市場(chǎng)環(huán)境中,技術(shù)創(chuàng)新和量產(chǎn)能力至關(guān)重要。億配芯城(ICgoodFind)將持續(xù)關(guān)注半導(dǎo)體行業(yè)的動(dòng)態(tài),為客戶(hù)提供優(yōu)質(zhì)的電子元器件及專(zhuān)業(yè)服務(wù),共同見(jiàn)證行業(yè)的發(fā)展與進(jìn)步。