村田的多層片狀陶瓷電容普遍應(yīng)用于消費(fèi)類電子、汽車等多個(gè)范疇,為人們所熟習(xí)。但在光通訊范疇,村田主打的硅電容有著比陶瓷電容更好的性能,滿足光通訊對(duì)超高頻器件的需求。
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村田的這條硅電容產(chǎn)品線,來(lái)自于2016年村田收買的IPDiA S.A公司。這家公司位于法國(guó),該公司的產(chǎn)品和技術(shù)被普遍應(yīng)用于醫(yī)療、工業(yè)、通訊等請(qǐng)求高牢靠性的范疇,此次收買進(jìn)一步穩(wěn)固了村田作為高牢靠性電容器供給商的搶先位置。
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在第21屆中國(guó)國(guó)際光電博覽會(huì)(CIOE 2019)上,村田工程師向電子發(fā)燒友記者引見,光通訊速度越來(lái)越快,當(dāng)通訊速度到達(dá)毫米波寬帶時(shí),超小型的貼片陶瓷電容器(MLCC)中的插入損耗會(huì)增加,相比之下,硅電容用具有低插入損耗、高穩(wěn)定性等優(yōu)勢(shì),市場(chǎng)需求疾速擴(kuò)展。
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村田的高密度硅電容器,經(jīng)過應(yīng)用半導(dǎo)體的MOS工藝完成三維化,大幅增加電容器外表積,從而進(jìn)步了基板單位面積的靜電容量。這個(gè)特性可以適用于網(wǎng)絡(luò)相關(guān)(RF功率放大器、寬帶通訊)、高牢靠性用處、醫(yī)療、汽車、通訊等范疇。
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查閱村田官網(wǎng)硅電容技術(shù)的材料,村田將High-Q電感、電阻、平面MIM電容器、巴倫用溝槽MOS電容器、PLL環(huán)路濾波器、低通濾波器、RC濾波器、饋線去耦安裝等各種被動(dòng)元件組合起來(lái),提供應(yīng)客戶。
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此項(xiàng)技術(shù)也提供應(yīng)用與MOS半導(dǎo)體完整兼容的后工序技術(shù)集成被動(dòng)元件的平臺(tái),并且能夠應(yīng)用于SIP,應(yīng)用其他技術(shù)(CMOS和MEMS等)停止多片模塊和倒裝片的異質(zhì)集成。
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在村田眾多硅電容器產(chǎn)品系列中,本次光博會(huì)上展出的XBSC / UBSC / BBSC / ULSC系列是支持最高到100GHz+的外表貼裝型硅電容器。
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村田外表封裝硅電容器產(chǎn)品
據(jù)悉,村田硅電容所支持的帶寬從20、40、67到110GHz,目前67GHz的硅電容曾經(jīng)量產(chǎn),110GHz的在去年底推出。不難看出,因應(yīng)光通訊高速率的請(qǐng)求,具有大帶寬的硅電容將更受市場(chǎng)歡送。
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在特性上,村田硅電容器完成了-55℃至 150℃的普遍工作溫度范圍。耐壓達(dá)450V,運(yùn)用壽命至少達(dá)10年之久,硅電容尺寸薄至50um以內(nèi)。這些參數(shù)都標(biāo)明硅電容較之MLCC在光通訊范疇有著更大的應(yīng)用特質(zhì)。
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村田引線鍵合用上下電極硅電容器產(chǎn)品
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此次村田不只帶來(lái)了硅電容器,還展現(xiàn)了硅基板。普通的氮化鋁(AlN)陶瓷基板無(wú)法做到小型化以及存在牢靠性應(yīng)戰(zhàn),相比之下,村田定制化硅基板計(jì)劃具有小型化、高牢靠性、本錢更低等優(yōu)勢(shì)。“硅基板能夠?qū)㈦娙菖c電阻等器件整合到基板內(nèi)部,從而完成基板的小型化等特性”,村田工程師解析說。
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在數(shù)據(jù)中心范疇村田提供用于線纜管理的RFID標(biāo)簽產(chǎn)品,由于在線纜實(shí)踐應(yīng)用中需求貼標(biāo)簽來(lái)區(qū)分接頭與插口的對(duì)應(yīng)狀況,時(shí)間久了普通標(biāo)簽容易磨損,而將RFID標(biāo)簽貼在接頭上便當(dāng)掃描考證,便于管理。村田的這款RFID標(biāo)簽采用陶瓷封裝,經(jīng)過讀寫器讀取光纖ID、光纖品種、插入位置等信息,完成簡(jiǎn)單的光纖辨認(rèn),消弭銜接錯(cuò)誤,防止因接頭插錯(cuò)而惹起的數(shù)據(jù)中心系統(tǒng)停頓等毛病的發(fā)作。
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據(jù)理解,此次是村田第一次參與光博會(huì),或許正是由于對(duì)光通訊市場(chǎng)前景的看好,看得出村田是有備而來(lái),規(guī)劃了硅電容、硅基板以及小型化RFID標(biāo)簽等多種產(chǎn)品,應(yīng)對(duì)將來(lái)高速增長(zhǎng)的光通訊市場(chǎng)需求。
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