在當前內(nèi)存市場需求疲軟的環(huán)境下，三星、美光和SK海力士相繼發(fā)布1z nm內(nèi)存芯片，搶進高端內(nèi)存市場。并方案下半年開端量產(chǎn)，并于2020年在新一代效勞器、高端PC及智能手機等應(yīng)用發(fā)力。
三星1znm 8Gb DDR4消費率進步20%以上，下半年量產(chǎn)
據(jù)筆者此前得悉，在今年3月，三星開端大范圍量產(chǎn)12GB 低功耗雙倍數(shù)率的LPDDR4X后，三星又宣布初次開發(fā)出第三代10nm級1z nm 8Gb雙倍數(shù)據(jù)速率的DDR4。
這是三星自2017年底批量消費第二代10nm級（1y-nm）8Gb DDR4以來，僅僅16個月就開發(fā)出了1z nm 8Gb DDR4，而且不運用極紫外光刻（EUV）設(shè)備處置，就打破了DRAM的技術(shù)應(yīng)戰(zhàn)。
三星1z nm是業(yè)界最小的存儲器工藝，新的1z nm DDR4相較于1ynm消費率可進步20%以上，方案將在下半年開端量產(chǎn)1z nm 8Gb DDR4，并將在2020年推出新一代企業(yè)效勞器和高端PC應(yīng)用的DRAM，滿足將來市場日益增長的需求。
開發(fā)的1z nm DRAM為加速向下一代如DDR5，LPDDR5和GDDR6過渡鋪平了道路，這些將為將來創(chuàng)新提供動力。同時，三星開發(fā)更具高容量和高性能的1z nm產(chǎn)品將加強其業(yè)務(wù)競爭力，穩(wěn)固其在高端DRAM市場中的指導(dǎo)位置，包括效勞器、圖形和挪動設(shè)備等范疇。
該公司正積極與全球客戶協(xié)作，在與CPU制造商停止8GB DDR4模塊的全面考證后，將提供一系列存儲處理計劃。同時，三星在其平澤工廠消費先進的DRAM產(chǎn)品，滿足市場不時增長的需求。
三星電子DRAM產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁李榮培（Jung Bae Lee）表示：“我們努力于打破技術(shù)范疇的最大應(yīng)戰(zhàn)，推進完成更大的創(chuàng)新。很快樂能再次為下一代DRAM的穩(wěn)定消費奠定根底，確保性能和能源效率的最大化。隨著我們推出1z nm的DRAM系列產(chǎn)品，三星將繼續(xù)努力于支持其全球客戶部署尖端系統(tǒng)，并滿足高端內(nèi)存市場的增長?！?/p>
美光開端量產(chǎn)16Gb 1z nm DDR4內(nèi)存，功耗降低40%
8月，依據(jù)TPU的報道，美光曾經(jīng)開端量產(chǎn)1z nm的16Gb DDR4，密度更高，功耗降低了40%。
據(jù)引見，與前一代1Y工藝相比，1z nm工藝的16Gb DDR4產(chǎn)品具有更高的比特密度，性能略有進步，本錢也更低。與前幾代8Gb DDR4?RAM處理計劃相比，新節(jié)點還使功耗降低了40%。
美光還宣布，它曾經(jīng)開端批量出貨業(yè)界容量最大的單片16Gb低功耗 LPDDR4X DRAM，1z nm LPDDR4X和uMCP4產(chǎn)品主要針對智能手機。
美光在DRAM市場的主要競爭對手三星(Samsung)去年春季宣布，將在今年下半年開端消費1z nm 8Gb DDR4模塊，為下一代DDR5、LPDDR5和GDDR6內(nèi)存產(chǎn)品的推出做準備。
SK海力士宣布開發(fā)第三代1Z nm內(nèi)存芯片 年內(nèi)完成批量消費
10月21日，SK海力士今天宣布開發(fā)適用第三代1z nm DDR4 DRAM，據(jù)稱，這款芯片完成了單一芯片規(guī)范內(nèi)業(yè)界最大容量的16Gb，在一張晶圓中能消費的存儲量也是現(xiàn)存的DRAM內(nèi)最大。
與上一代1Y產(chǎn)品相比，該產(chǎn)品的消費率進步了約27%，由于能夠在不適用超高價的EUV（極紫外光刻）曝光工藝的狀況下停止消費，其在本錢上具有競爭優(yōu)勢。
新款1z nm DRAM支持高達3200 Mbps的數(shù)據(jù)傳輸速率，據(jù)稱是DDR4規(guī)格內(nèi)最高速度。在功耗方面，與基于第二代8Gb產(chǎn)品的相同容量模組相比，功耗降低約40%。
第三代產(chǎn)品適用前一代消費工藝中歷來沒運用過的新資料，將DRAM操作的關(guān)鍵要素靜電容量（Capacitance）最大化。此外，還引進了新的設(shè)計技術(shù)，進步了動作穩(wěn)定性。
接下來，SK海力士方案將第三代10nm級微細工程技術(shù)擴展到多種應(yīng)用范疇，包括下一代挪動DRAM LPDDR5和最高端DRAM HBM3等。
DRAM 1z開發(fā)事業(yè)TF長李廷燻表示，該芯片方案年內(nèi)完成批量消費，從明年開端正式供給。
