隨著全球半導(dǎo)體市場的競爭日益激烈，各大公司都在努力尋求技術(shù)和生產(chǎn)的突破，以獲取競爭優(yōu)勢。最近，模擬芯片巨頭德州儀器（TI）宣布將其硅基氮化鎵（GaN-on-Si）生產(chǎn)工藝從傳統(tǒng)的6英寸（150mm）晶圓升級到8英寸（200mm）晶圓，此舉旨在進(jìn)一步提高產(chǎn)能，并有望大幅度降低生產(chǎn)成本，從而在市場上獲得成本優(yōu)勢。
TI韓國總監(jiān)Ju-Yong Shin在最近的一次媒體活動(dòng)中分享了這一戰(zhàn)略決策背后的考慮。他指出，盡管過去有一種觀點(diǎn)認(rèn)為GaN半導(dǎo)體的生產(chǎn)成本比碳化硅（SiC）半導(dǎo)體更高，但TI已經(jīng)看到了這種成本結(jié)構(gòu)的反轉(zhuǎn)趨勢。Shin解釋說：“我們正在美國達(dá)拉斯、日本會津等地建設(shè)新的8英寸晶圓廠，并計(jì)劃在未來幾年內(nèi)將這些工廠全面投入運(yùn)營。隨著這些新工廠的投產(chǎn)，我們將能夠提供比現(xiàn)在更加經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的GaN半導(dǎo)體解決方案?！?/p>
為了不斷提升生產(chǎn)效率，TI還計(jì)劃將其8英寸生產(chǎn)工藝進(jìn)一步升級到12英寸工藝。據(jù)了解，8英寸晶圓的生產(chǎn)面積是6英寸晶圓的1.78倍，而12英寸晶圓的面積又是8英寸晶圓的2.25倍。這意味著，通過升級到更大的晶圓尺寸，TI可以在單次生產(chǎn)過程中制造出更多的半導(dǎo)體芯片，從而提高整體產(chǎn)能。
Shin透露：“TI長期以來一直使用6英寸工藝生產(chǎn)氮化鎵半導(dǎo)體。目前，我們的達(dá)拉斯工廠預(yù)計(jì)將在2025年之前完成向8英寸工藝的過渡。至于日本會津工廠，我們目前正在將現(xiàn)有的硅基8英寸生產(chǎn)線轉(zhuǎn)換為GaN半導(dǎo)體生產(chǎn)線，但具體的轉(zhuǎn)換時(shí)間暫時(shí)不便透露。”
業(yè)界分析人士認(rèn)為，TI的工藝轉(zhuǎn)型決策將對整個(gè)GaN半導(dǎo)體市場產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。由于生產(chǎn)成本的降低，預(yù)計(jì)GaN半導(dǎo)體的市場價(jià)格也將隨之下降，這將進(jìn)一步推動(dòng)其在各個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域中的普及。此外，TI還將其電源管理集成電路（PMIC）生產(chǎn)從8英寸工藝轉(zhuǎn)向12英寸工藝，這一舉措同樣對整個(gè)行業(yè)產(chǎn)生了積極的影響，有助于推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)品的整體價(jià)格下降。
一位不愿透露姓名的業(yè)內(nèi)人士表示：“從6英寸生產(chǎn)工藝轉(zhuǎn)向8英寸工藝，不僅將提高生產(chǎn)效率，還有望使生產(chǎn)成本降低10%以上。這對于整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)來說是一個(gè)積極的信號，意味著未來消費(fèi)者可能會享受到更加經(jīng)濟(jì)實(shí)惠、性能優(yōu)越的半導(dǎo)體產(chǎn)品?！?/p>
總體而言，德州儀器通過升級其硅基氮化鎵生產(chǎn)工藝，不僅提高了自身的產(chǎn)能和效率，還為整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)樹立了一個(gè)降低成本、提高競爭力的范例。這一戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型有望在未來幾年內(nèi)對全球半導(dǎo)體市場產(chǎn)生深遠(yuǎn)的影響，推動(dòng)整個(gè)行業(yè)向更加高效、經(jīng)濟(jì)的方向發(fā)展。
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