技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù)： | 8 | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻： | 0.03 Ω | ? |
技術(shù)參數(shù)/極性： | P-Channel | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率： | 2.5 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds)： | 20 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/柵源擊穿電壓： | ±12.0 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids)： | -6.20 A | ? |
技術(shù)參數(shù)/上升時(shí)間： | 55 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max)： | 1.3 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/下降時(shí)間： | 30 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)： | 150 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min)： | -55 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max)： | 2500 mW | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Surface Mount | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 8 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | SOIC-8 | ? |
外形尺寸/封裝： | SOIC-8 | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Active | ? |
其他/包裝方式： | Tape & Reel (TR) | ? |
其他/最小包裝： | 2500 | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn)： | RoHS Compliant | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn)： | Lead Free | ? |
| 型號 | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數(shù)據(jù)手冊 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
SI9433BDY-T1-E3
|
VISHAY (威世) | 類似代替 | SOIC-8 |
P通道20 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
|
||
SI4463CDY-T1-GE3
|
VISHAY (威世) | 類似代替 | SOIC-8 |
晶體管, MOSFET, P溝道, -18.6 A, -20 V, 0.006 ohm, -10 V, -600 mV
|
||
IRF7425TRPBF
|
Infineon (英飛凌) | 功能相似 | SOIC-8 |
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF7425TRPBF 場效應(yīng)管, MOSFET, P溝道, -15A, -20V, 8-SOIC
|
||
|
|
Vishay Intertechnology | 類似代替 | SO-8 |
P通道20 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
|
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