技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù)： | 8 | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻： | 0.006 Ω | ? |
技術(shù)參數(shù)/極性： | P-Channel | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率： | 2.7 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/閾值電壓： | 600 mV | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds)： | 20 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids)： | 18.6A | ? |
技術(shù)參數(shù)/上升時(shí)間： | 35 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss)： | 4250pF @10V(Vds) | ? |
技術(shù)參數(shù)/下降時(shí)間： | 30 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)： | 150 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min)： | -55 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max)： | 2700 mW | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Surface Mount | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 8 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | SOIC-8 | ? |
外形尺寸/封裝： | SOIC-8 | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | -55℃ ~ 150℃ | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Active | ? |
其他/包裝方式： | Tape & Reel (TR) | ? |
其他/最小包裝： | 2500 | ? |
其他/制造應(yīng)用： | 電源管理, 工業(yè) | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn)： | RoHS Compliant | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn)： | Lead Free | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/REACH SVHC標(biāo)準(zhǔn)： | No SVHC | ? |
| 型號(hào) | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡(jiǎn)介 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
|---|---|---|---|---|---|---|
SI9433BDY-T1-E3
|
VISHAY (威世) | 類(lèi)似代替 | SOIC-8 |
VISHAY SI9433BDY-T1-E3 場(chǎng)效應(yīng)管, MOSFET, P溝道, -20V, -4.5A, 8-SOIC
|
||
SI4463CDY-T1-GE3
|
VISHAY (威世) | 功能相似 | SOIC-8 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 18.6A I(D), 20V, 1Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MS-012, SOIC-8
|
||
IRF7425TRPBF
|
Infineon (英飛凌) | 功能相似 | SOIC-8 |
INFINEON IRF7425TRPBF 晶體管, MOSFET, P溝道, -15 A, -20 V, 0.0082 ohm, -4.5 V, -1.2 V
|
||
|
|
Vishay Intertechnology | 類(lèi)似代替 | SO-8 |
VISHAY SI9433BDY-T1-E3 場(chǎng)效應(yīng)管, MOSFET, P溝道, -20V, -4.5A, 8-SOIC
|
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