技術(shù)參數(shù)/額定電壓(DC): | 100 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定電流: | 1.30 A | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻: | 270 mΩ | ? |
技術(shù)參數(shù)/極性: | N-Channel | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率: | 1.30 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds): | 100 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源擊穿電壓: | 100V (min) | ? |
技術(shù)參數(shù)/柵源擊穿電壓: | ±20.0 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids): | 1.30 A | ? |
技術(shù)參數(shù)/上升時間: | 27.0 ns | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式: | Through Hole | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù): | 4 | ? |
封裝參數(shù)/封裝: | DIP | ? |
外形尺寸/封裝: | DIP | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn): | Non-Compliant | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn): | Contains Lead | ? |
型號 | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數(shù)據(jù)手冊 | |
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Infineon (英飛凌) | 完全替代 | DIP |
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
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