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型號(hào)： IRFD120PBF
描述： Infineon Technologies IRFD120PBF, MOSFET N channel HEXDIP 1.3A voltage: 100V
商品二維碼
封 裝： DIP
貨 期：
包裝方式： Bulk
標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù)： 1
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起批量 20+ 50+ 100+ 300+ 500+
  • 運(yùn)費(fèi)：   有貨 運(yùn)費(fèi)價(jià)格：￥13.00
  • 數(shù)量： 庫(kù)存(9999) 起訂量(20)
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技術(shù)參數(shù)/額定電壓(DC)：

100 V

?

技術(shù)參數(shù)/額定電流：

1.30 A

?

技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻：

270 mΩ

?

技術(shù)參數(shù)/極性：

N-Channel

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率：

1.30 W

?

技術(shù)參數(shù)/漏源擊穿電壓：

100 V

?

技術(shù)參數(shù)/柵源擊穿電壓：

±20.0 V

?

技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids)：

1.30 A

?

封裝參數(shù)/安裝方式：

Through Hole

?

封裝參數(shù)/引腳數(shù)：

4

?

封裝參數(shù)/封裝：

DIP

?

外形尺寸/封裝：

DIP

?

其他/產(chǎn)品生命周期：

Unknown

?

其他/包裝方式：

Bulk

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn)：

RoHS Compliant

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn)：

Lead Free

?

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IRFD120 IRFD120 Temic 完全替代 DIP
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
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