技術(shù)參數(shù)/額定功率： | 300 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù)： | 3 | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻： | 0.0035 Ω | ? |
技術(shù)參數(shù)/極性： | N-Channel | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率： | 300 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/閾值電壓： | 3 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds)： | 120 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids)： | 120A | ? |
技術(shù)參數(shù)/上升時(shí)間： | 52 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss)： | 10400pF @25V(Vds) | ? |
技術(shù)參數(shù)/下降時(shí)間： | 21 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)： | 175 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min)： | -55 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max)： | 300 W | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Through Hole | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 3 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | TO-220-3 | ? |
外形尺寸/長(zhǎng)度： | 10.36 mm | ? |
外形尺寸/寬度： | 4.57 mm | ? |
外形尺寸/高度： | 15.95 mm | ? |
外形尺寸/封裝： | TO-220-3 | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Active | ? |
其他/包裝方式： | Tube | ? |
其他/制造應(yīng)用： | 便攜式器材, 電機(jī)驅(qū), Power Management, Motor Drive & Control, Computers & Computer Peripherals, Portable De, Computers & Computer Peripherals, 電源管理, Power Management | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn)： | RoHS Compliant | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn)： | Lead Free | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/REACH SVHC標(biāo)準(zhǔn)： | No SVHC | ? |
| 型號(hào) | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡(jiǎn)介 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRFB4110PBF
|
Infineon (英飛凌) | 類似代替 | TO-220-3 |
INFINEON IRFB4110PBF 晶體管, MOSFET, N溝道, 180 A, 100 V, 4.5 mohm, 10 V, 4 V
|
||
FDP047N10
|
Freescale (飛思卡爾) | 功能相似 | TO-220-3 |
PowerTrench? N 通道 MOSFET，超過(guò) 60A，F(xiàn)airchild Semiconductor ### MOSFET 晶體管，F(xiàn)airchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 設(shè)備組合，包括高電壓 (>250V) 低電壓 (Fairchild MOSFET 通過(guò)降低電壓峰值和過(guò)沖提供極佳的設(shè)計(jì)可靠性，以減少結(jié)電容和反向恢復(fù)電荷，無(wú)需額外外部元件即可保持系統(tǒng)啟動(dòng)和運(yùn)行更長(zhǎng)時(shí)間。
|
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