技術(shù)參數(shù)/額定功率： | 370 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù)： | 3 | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻： | 0.0045 Ω | ? |
技術(shù)參數(shù)/極性： | N-CH | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率： | 370 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/閾值電壓： | 4 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容： | 9620 pF | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds)： | 100 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源擊穿電壓： | 100 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids)： | 180A | ? |
技術(shù)參數(shù)/上升時間： | 67 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss)： | 9620pF @50V(Vds) | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max)： | 370 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/下降時間： | 88 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)： | 175 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min)： | -55 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max)： | 370W (Tc) | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Through Hole | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 3 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | TO-220-3 | ? |
外形尺寸/長度： | 10.67 mm | ? |
外形尺寸/寬度： | 4.82 mm | ? |
外形尺寸/高度： | 9.02 mm | ? |
外形尺寸/封裝： | TO-220-3 | ? |
物理參數(shù)/材質(zhì)： | Silicon | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | -55℃ ~ 175℃ (TJ) | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Active | ? |
其他/包裝方式： | Tube | ? |
其他/制造應(yīng)用： | Power Management, Battery Operated Drive, Full-Bridge, 電源管理, Push-Pull, Consumer Full-Bridge | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn)： | RoHS Compliant | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn)： | Lead Free | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/REACH SVHC版本： | 2015/12/17 | ? |
海關(guān)信息/ECCN代碼： | EAR99 | ? |
| 型號 | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數(shù)據(jù)手冊 | |
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IPP041N12N3GXKSA1
|
Infineon (英飛凌) | 類似代替 | TO-220-3 |
單 P溝道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面貼裝 - MICRO-3
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IRFB4110GPBF
|
International Rectifier (國際整流器) | 類似代替 | TO-220-3 |
INFINEON IRFB4110GPBF 場效應(yīng)管, MOSFET, N溝道, 100V, 180A, TO-220AB
|
||
FDP047N10
|
Freescale (飛思卡爾) | 功能相似 | TO-220-3 |
PowerTrench? N 通道 MOSFET，超過 60A，F(xiàn)airchild Semiconductor ### MOSFET 晶體管，F(xiàn)airchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 設(shè)備組合，包括高電壓 (>250V) 低電壓 (Fairchild MOSFET 通過降低電壓峰值和過沖提供極佳的設(shè)計可靠性，以減少結(jié)電容和反向恢復(fù)電荷，無需額外外部元件即可保持系統(tǒng)啟動和運(yùn)行更長時間。
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