技術(shù)參數(shù)/電源電壓(DC)： | 10.0V (min) | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定功率： | 625 mW | ? |
技術(shù)參數(shù)/上升/下降時間： | 80ns, 40ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸出接口數(shù)： | 2 | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸出電壓： | 600 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸出電流： | 250.500 mA | ? |
技術(shù)參數(shù)/通道數(shù)： | 2 | ? |
技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù)： | 8 | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率： | 625 mW | ? |
技術(shù)參數(shù)/上升時間： | 130 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/下降時間： | 65 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/下降時間(Max)： | 65 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/上升時間(Max)： | 130 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)： | 125 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min)： | -40 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max)： | 625 mW | ? |
技術(shù)參數(shù)/電源電壓： | 10V ~ 20V | ? |
技術(shù)參數(shù)/電源電壓(Max)： | 20 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/電源電壓(Min)： | 10 V | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Surface Mount | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 8 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | SOIC-8 | ? |
外形尺寸/長度： | 5 mm | ? |
外形尺寸/寬度： | 4 mm | ? |
外形尺寸/高度： | 1.5 mm | ? |
外形尺寸/封裝： | SOIC-8 | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | -40℃ ~ 150℃ (TJ) | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Active | ? |
其他/包裝方式： | Each | ? |
其他/制造應(yīng)用： | Power Management, 電源管理 | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn)： | RoHS Compliant | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn)： | Lead Free | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/REACH SVHC版本： | 2015/12/17 | ? |
海關(guān)信息/ECCN代碼： | EAR99 | ? |
| 型號 | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數(shù)據(jù)手冊 | |
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IR2112S
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IRF | 功能相似 |
600V High and Low Side Driver IC with typical 0.25A source and 0.5A sink currents in 16 Lead SOICWB package for IGBTs and MOSFETs. Also available in 14 Lead PDIP.
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IR2111STRPBF
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Infineon (英飛凌) | 完全替代 | SOIC-8 |
P溝道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面貼裝 - MICRO-3
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