芯片AI顧問
技術(shù)參數(shù)/電源電壓(DC)： | 10.0V (min) | ? |
技術(shù)參數(shù)/上升/下降時間： | 80ns, 40ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸出接口數(shù)： | 2 | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率： | 625 mW | ? |
技術(shù)參數(shù)/靜態(tài)電流： | 180 μA | ? |
技術(shù)參數(shù)/上升時間： | 130 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/下降時間： | 65 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/下降時間(Max)： | 65 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/上升時間(Max)： | 130 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)： | 125 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min)： | -40 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max)： | 625 mW | ? |
技術(shù)參數(shù)/電源電壓： | 10V ~ 20V | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Surface Mount | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 8 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | SOIC-8 | ? |
外形尺寸/封裝： | SOIC-8 | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | -40℃ ~ 150℃ (TJ) | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Active | ? |
其他/包裝方式： | Tape & Reel (TR) | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn)： | RoHS Compliant | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn)： | Lead Free | ? |
| 型號 | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數(shù)據(jù)手冊 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IR2111SPBF
|
Infineon (英飛凌) | 完全替代 | SOIC-8 |
INFINEON IR2111SPBF 雙路芯片, MOSFET, 高壓側(cè)和低壓側(cè), 10V-20V電源, 500mA輸出, 150ns延遲, SOIC-8
|
||
IR2111STR
|
Infineon (英飛凌) | 功能相似 | SOIC-8 |
Driver 600V 0.5A 2Out Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8Pin SOIC T/R
|
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