技術(shù)參數(shù)/額定電壓(DC)： | 20.0 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定電流： | 8.70 A | ? |
技術(shù)參數(shù)/極性： | N-Channel | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率： | 2.5 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/產(chǎn)品系列： | IRF7401 | ? |
技術(shù)參數(shù)/閾值電壓： | 0.7 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds)： | 20 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源擊穿電壓： | 20.0 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids)： | 8.70 A | ? |
技術(shù)參數(shù)/上升時(shí)間： | 72.0 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss)： | 1600pF @15V(Vds) | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max)： | 2.5 W | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Surface Mount | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 8 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | SOIC-8 | ? |
外形尺寸/封裝： | SOIC-8 | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Active | ? |
其他/包裝方式： | Tape & Reel (TR) | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn)： | RoHS Compliant | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn)： | Lead Free | ? |
| 型號(hào) | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
|---|---|---|---|---|---|---|
SI4426DY-T1-E3
|
VISHAY (威世) | 功能相似 | SOIC-8 |
SOIC-8 N-CH 20V 6.5A 25mΩ
|
||
STS6NF20V
|
ST Microelectronics (意法半導(dǎo)體) | 功能相似 | SOIC-8 |
STMICROELECTRONICS STS6NF20V 晶體管, MOSFET, N溝道, 6 A, 20 V, 45 mohm, 2.7 V, 600 mV
|
||
NDS8425
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOIC-8 |
PowerTrench? N 通道 MOSFET，高達(dá) 9.9A，F(xiàn)airchild Semiconductor ### MOSFET 晶體管，F(xiàn)airchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 設(shè)備組合，包括高電壓 (>250V) 低電壓 (Fairchild MOSFET 通過降低電壓峰值和過沖提供極佳的設(shè)計(jì)可靠性，以減少結(jié)電容和反向恢復(fù)電荷，無需額外外部元件即可保持系統(tǒng)啟動(dòng)和運(yùn)行更長時(shí)間。
|
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