技術(shù)參數(shù)/耗散功率: | 2.5 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds): | 20 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/上升時(shí)間: | 13 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss): | 1098pF @15V(Vds) | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max): | 1 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/下降時(shí)間: | 11 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max): | 150 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min): | -55 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max): | 2.5 W | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式: | Surface Mount | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù): | 8 | ? |
封裝參數(shù)/封裝: | SOIC-8 | ? |
外形尺寸/長(zhǎng)度: | 4.9 mm | ? |
外形尺寸/寬度: | 3.9 mm | ? |
外形尺寸/高度: | 1.575 mm | ? |
外形尺寸/封裝: | SOIC-8 | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期: | Active | ? |
其他/包裝方式: | Tape & Reel (TR) | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn): | RoHS Compliant | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn): | Lead Free | ? |
型號(hào) | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡(jiǎn)介 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
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International Rectifier (國(guó)際整流器) | 功能相似 | SOIC-8 |
20V,8.7A,N溝道功率MOSFET
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![]() |
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOIC-8 |
PowerTrench? N 通道 MOSFET,高達(dá) 9.9A,F(xiàn)airchild Semiconductor ### MOSFET 晶體管,F(xiàn)airchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 設(shè)備組合,包括高電壓 (>250V) 低電壓 (Fairchild MOSFET 通過(guò)降低電壓峰值和過(guò)沖提供極佳的設(shè)計(jì)可靠性,以減少結(jié)電容和反向恢復(fù)電荷,無(wú)需額外外部元件即可保持系統(tǒng)啟動(dòng)和運(yùn)行更長(zhǎng)時(shí)間。
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