技術參數(shù)/工作電壓： | 3.3 V | ? |
技術參數(shù)/針腳數(shù)： | 44 | ? |
技術參數(shù)/位數(shù)： | 16 | ? |
技術參數(shù)/存取時間： | 10 ns | ? |
技術參數(shù)/存取時間(Max)： | 10 ns | ? |
技術參數(shù)/工作溫度(Max)： | 85 ℃ | ? |
技術參數(shù)/工作溫度(Min)： | -40 ℃ | ? |
技術參數(shù)/電源電壓： | 2.4V ~ 3.6V | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Surface Mount | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 44 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | TSOP-44 | ? |
外形尺寸/長度： | 18.54 mm | ? |
外形尺寸/寬度： | 10.29 mm | ? |
外形尺寸/高度： | 1.05 mm | ? |
外形尺寸/封裝： | TSOP-44 | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | -40℃ ~ 85℃ (TA) | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Active | ? |
其他/包裝方式： | Tray | ? |
符合標準/RoHS標準： | RoHS Compliant | ? |
符合標準/含鉛標準： | Lead Free | ? |
海關信息/ECCN代碼： | EAR99 | ? |
| 型號 | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數(shù)據(jù)手冊 | |
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IS61WV25616EDBLL-10TLI
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Integrated Silicon Solution(ISSI) | 完全替代 | TSOP-44 |
RAM，ISSI **ISSI** 靜態(tài) RAM 產(chǎn)品使用高性能 CMOS 技術。 提供各種靜態(tài) RAM，其中包括 5V 高速異步 SRAM、高速低功率異步 SRAM、5V 低功率類型異步 SRAM、超低功率 CMOS 靜態(tài) RAM 和 PowerSaverTM 低功率異步 SRAM。 ISSI SRAM 設備提供各種電壓、存儲器大小和不同的組織。 它們適用于以下應用，如 CPU 緩存、嵌入式處理器、硬盤和工業(yè)電子開關。 電源：1.8V/3.3V/5V 提供的封裝：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置選擇：x8 和 x16 ECC 功能可用于高速異步 SRAM ### SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器）
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IS61WV25616BLL-10TLI-TR
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Integrated Silicon Solution(ISSI) | 完全替代 | TSOP-44 |
靜態(tài)隨機存取存儲器 4Mb 256Kx16 10ns Async 靜態(tài)隨機存取存儲器 3.3v
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