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型號(hào): IS61WV25616EDBLL-10TLI
描述: RAM,ISSI **ISSI** 靜態(tài) RAM 產(chǎn)品使用高性能 CMOS 技術(shù)。 提供各種靜態(tài) RAM,其中包括 5V 高速異步 SRAM、高速低功率異步 SRAM、5V 低功率類型異步 SRAM、超低功率 CMOS 靜態(tài) RAM 和 PowerSaverTM 低功率異步 SRAM。 ISSI SRAM 設(shè)備提供各種電壓、存儲(chǔ)器大小和不同的組織。 它們適用于以下應(yīng)用,如 CPU 緩存、嵌入式處理器、硬盤和工業(yè)電子開關(guān)。 電源:1.8V/3.3V/5V 提供的封裝:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置選擇:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速異步 SRAM ### SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)
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封 裝: TSOP-44
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包裝方式:
標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù): 1
15.2  元 15.2元
5+:
¥ 17.7840
50+:
¥ 17.0240
200+:
¥ 16.5984
500+:
¥ 16.4920
1000+:
¥ 16.3856
2500+:
¥ 16.2640
5000+:
¥ 16.1880
7500+:
¥ 16.1120
數(shù)量
5+
50+
200+
500+
1000+
價(jià)格
17.7840
17.0240
16.5984
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16.3856
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技術(shù)參數(shù)/供電電流:

35 mA

?

技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù):

44

?

技術(shù)參數(shù)/位數(shù):

16

?

技術(shù)參數(shù)/存取時(shí)間:

10 ns

?

技術(shù)參數(shù)/存取時(shí)間(Max):

10 ns

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max):

85 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min):

-40 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/電源電壓:

2.4V ~ 3.6V

?

封裝參數(shù)/安裝方式:

Surface Mount

?

封裝參數(shù)/引腳數(shù):

44

?

封裝參數(shù)/封裝:

TSOP-44

?

外形尺寸/長(zhǎng)度:

18.54 mm

?

外形尺寸/寬度:

10.29 mm

?

外形尺寸/高度:

1.05 mm

?

外形尺寸/封裝:

TSOP-44

?

物理參數(shù)/工作溫度:

-40℃ ~ 85℃ (TA)

?

其他/產(chǎn)品生命周期:

Active

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn):

RoHS Compliant

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn):

Lead Free

?

海關(guān)信息/ECCN代碼:

EAR99

?

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IS61WV25616BLL-10TLI IS61WV25616BLL-10TLI Integrated Silicon Solution(ISSI) 完全替代 TSOP-44
RAM,ISSI **ISSI** 靜態(tài) RAM 產(chǎn)品使用高性能 CMOS 技術(shù)。 提供各種靜態(tài) RAM,其中包括 5V 高速異步 SRAM、高速低功率異步 SRAM、5V 低功率類型異步 SRAM、超低功率 CMOS 靜態(tài) RAM 和 PowerSaverTM 低功率異步 SRAM。 ISSI SRAM 設(shè)備提供各種電壓、存儲(chǔ)器大小和不同的組織。 它們適用于以下應(yīng)用,如 CPU 緩存、嵌入式處理器、硬盤和工業(yè)電子開關(guān)。 電源:1.8V/3.3V/5V 提供的封裝:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置選擇:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速異步 SRAM ### SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)
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IS61WV25616BLL-10TLI-TR IS61WV25616BLL-10TLI-TR Integrated Silicon Solution(ISSI) 完全替代 TSOP-44
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4Mb 256Kx16 10ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.3v
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