11月13日消息，近日，中國(guó)存儲(chǔ)芯片巨頭長(zhǎng)江存儲(chǔ)近日向美國(guó)存儲(chǔ)芯片巨頭美光及其子公司提起專利侵權(quán)訴訟，要求法院禁止美光繼續(xù)使用長(zhǎng)江存儲(chǔ)的多項(xiàng)3D NAND技術(shù)專利，并賠償損失和訴訟費(fèi)用。長(zhǎng)江存儲(chǔ)指控美光在未經(jīng)授權(quán)的情況下使用其專利技術(shù)，侵犯了其利益，遏制了其創(chuàng)新動(dòng)力。
據(jù)IT之家了解，存儲(chǔ)芯片主要分為DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)）和NAND（閃存）兩類。DRAM屬于易失性存儲(chǔ)器，即一旦斷電存儲(chǔ)資料立刻流失，一般被用作內(nèi)存輔助CPU進(jìn)行計(jì)算；而NAND用于存儲(chǔ)資料，用于制造固態(tài)硬盤(pán)。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)在起訴書(shū)中指出，美光在未經(jīng)授權(quán)的情況下使用其專利技術(shù)來(lái)與進(jìn)行市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)，保護(hù)其市場(chǎng)份額，且未就使用上述專利支付合理費(fèi)用。同時(shí)，美光在自己的專利文件中引用了長(zhǎng)江存儲(chǔ)相關(guān)專利，證明其了解長(zhǎng)江存儲(chǔ)的專利組合非常重要，但未采取任何實(shí)際行動(dòng)尋求獲取長(zhǎng)江存儲(chǔ)專利授權(quán)。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)還在起訴書(shū)中表示，若法院未能就美光侵犯專利下達(dá)產(chǎn)品長(zhǎng)期禁令，則應(yīng)制定相關(guān)方案，如美光向長(zhǎng)江存儲(chǔ)支付專利授權(quán)費(fèi)等。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)成立于2016年7月，總部位于湖北武漢，主攻設(shè)計(jì)、制造3D NAND閃存芯片。長(zhǎng)江存儲(chǔ)采用了自研的Xtacking（晶棧）架構(gòu)，在技術(shù)上已經(jīng)追上國(guó)外巨頭。在NAND領(lǐng)域，長(zhǎng)江存儲(chǔ)2021年量產(chǎn)了128層3D堆疊產(chǎn)品，232層產(chǎn)品亦開(kāi)始上量。
此次訴訟涉及到8項(xiàng)專利，包括3D NAND存儲(chǔ)器的形成方法、控制方法、直通陣列接觸（TAC）、讀取方法和多層堆疊方法等方面。這些專利被認(rèn)為涉及到長(zhǎng)江存儲(chǔ)在市場(chǎng)上取得成功的重要技術(shù)。
在訴訟中，長(zhǎng)江存儲(chǔ)強(qiáng)調(diào)了美光科技的行為對(duì)其業(yè)務(wù)和聲譽(yù)造成了負(fù)面影響。此外，由于美光科技未支付使用費(fèi)的指控，這也意味著長(zhǎng)江存儲(chǔ)的收入受到了損失。因此，長(zhǎng)江存儲(chǔ)希望通過(guò)法律手段來(lái)保護(hù)自己的權(quán)益。
對(duì)于這起訴訟，市場(chǎng)反應(yīng)強(qiáng)烈。由于涉及到兩家全球領(lǐng)先的存儲(chǔ)芯片公司之間的糾紛，這起訴訟將對(duì)整個(gè)存儲(chǔ)芯片行業(yè)產(chǎn)生影響。此外，這也將對(duì)兩家公司的財(cái)務(wù)狀況產(chǎn)生影響，因?yàn)槿魏闻袥Q都可能對(duì)它們的生產(chǎn)和銷(xiāo)售產(chǎn)生影響。
總的來(lái)說(shuō)，這起訴訟將對(duì)存儲(chǔ)芯片行業(yè)和兩家公司的未來(lái)發(fā)展產(chǎn)生重大影響。我們將密切關(guān)注這起訴訟的進(jìn)展并隨時(shí)向讀者報(bào)道最新的情況。
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)
