長江存儲突破封鎖自研 3D NAND 閃存芯片！

by: admin 行業(yè)資訊 0 2025-03-07 18:19:34

9 月 25 日消息，據(jù)彭博社援引 TechInsights 報(bào)道稱，長江存儲在面臨美國出口限制和被列入實(shí)體清單的雙重壓力下，成功采用國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備取代了部分美系半導(dǎo)體設(shè)備。

報(bào)道指出，長江存儲已使用國產(chǎn)設(shè)備制造出 3D NAND 閃存芯片。其自研的 Xtacking 架構(gòu)可讓 3D NAND 的層數(shù)堆疊到 232 層，即便與美光、三星、SK 海力士等知名制造商相比，也具有極強(qiáng)的競爭優(yōu)勢。

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然而，彭博社和 TechInsights 同時表示，長江存儲仍面臨技術(shù)障礙。其最新使用國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)的 3D NAND 芯片比早期版本少了 70 層。層數(shù)的減少主要是因?yàn)槭褂脟a(chǎn)設(shè)備導(dǎo)致制造過程中缺陷增多、良率降低。對此，長江存儲回應(yīng)稱，公司正在不斷優(yōu)化產(chǎn)品性能，層數(shù)變化與設(shè)備產(chǎn)量無關(guān)；隨著制造工藝、流程及經(jīng)驗(yàn)的不斷成熟，會不斷增加堆疊層數(shù)。

2022 年 10 月，美國限制先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備對華出口，隨后將中國 3D NAND Flash 制造商長江存儲列入實(shí)體清單。在被制裁的兩年里，長江存儲仍在穩(wěn)步發(fā)展。此前，長江存儲一直依賴 ASML、泛林集團(tuán)等外國供應(yīng)商提供的關(guān)鍵工具和設(shè)備。但現(xiàn)如今，中國國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商越來越多地承擔(dān)了生產(chǎn)流程的大部分，長江存儲也已轉(zhuǎn)向國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商，通過使用中微半導(dǎo)體設(shè)備公司的蝕刻設(shè)備、北方華創(chuàng)的沉積與蝕刻設(shè)備、拓荊科技的沉積設(shè)備等，成功用國產(chǎn)設(shè)備制造出 3D NAND 閃存芯片。

億配芯城（ICgoodFind）認(rèn)為，長江存儲在困境中積極尋求突破，采用國產(chǎn)設(shè)備制造 3D NAND 閃存芯片，展現(xiàn)了中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的堅(jiān)韌與創(chuàng)新能力。盡管目前仍面臨一些技術(shù)挑戰(zhàn)，但隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和經(jīng)驗(yàn)的積累，相信長江存儲能夠克服困難，為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展做出更大貢獻(xiàn)。億配芯城（ICgoodFind）將持續(xù)關(guān)注半導(dǎo)體行業(yè)動態(tài)，為客戶提供優(yōu)質(zhì)的電子元器件產(chǎn)品和服務(wù)。

文章標(biāo)簽：長江存儲，閃存芯片